2016年年底，華力微電子宣布啟動總投資達387億元的二期建設項目。這是我國最新規(guī)劃建設的一條以28～14納米工藝為目標的12英寸晶圓生產線。業(yè)界對其發(fā)展進程高度關注。日前，華力總裁雷海波在“2017中國半導體市場年會”演講中，闡述了“先進成熟”工藝的發(fā)展理念。有觀點認為，這將是華力在其二期項目建設中采取的一項重要發(fā)展策略。

“先進成熟”工藝將成二期發(fā)展策略

“目前，與國際先進水平相比，中國大陸的半導體制造產能與工藝技術水平仍有很大差距。2016年，中國大陸晶圓代工產能僅占全球的14．6％，28納米及以下工藝產能僅占全球的1．4％。做大規(guī)模是做強的基礎，特別是要對‘先進成熟’工藝（28、14納米）的產業(yè)化加大力度。其中，加大產業(yè)化投入是指加大每年的基礎研發(fā)投入和前瞻性技術的研發(fā)投入。另外，加強本土半導體產業(yè)人才培養(yǎng)也是產業(yè)化投入的重要部分。”這是雷海波在演講中重點強調的觀點之一。

2016年，華力一期投產之后正式啟動了二期項目建設，通過新設法人——上海華力集成電路制造有限公司的方式，在浦東新區(qū)康橋工業(yè)區(qū)南區(qū)新征土地建設一條月產能4萬片的12英寸集成電路芯片生產線。根據(jù)規(guī)劃，華力二期新生產線的工藝節(jié)點為28～14納米。它延續(xù)了一期項目55～40～28納米的工藝發(fā)展規(guī)劃，將形成相對連續(xù)完整的演進路徑，重點正是國際上已經相對成熟，但對中國大陸廠商來說仍然存在極大挑戰(zhàn)的28、14納米工藝平臺。

根據(jù)此前發(fā)布的消息，華力已經與IC設計大廠聯(lián)發(fā)科技合作開發(fā)了28納米工藝，預計2017年將實現(xiàn)量產。該工藝平臺將首先在華力一期實現(xiàn)小規(guī)模量產，未來將導入二期生產線。

那么，華力未來將如何開發(fā)并利用好28納米及14納米的產能，在與臺積電等晶圓代工龍頭大廠的競爭中取得更好的成績，是業(yè)界所普遍關注的。而發(fā)展“先進成熟”工藝，或許就是華力的重要策略之一。

“‘先進成熟工藝’這個概念是把國內與國際實際情況結合起來而總結提出的，有些工藝比如28納米，在中國大陸還屬于先進工藝，但是在國際上它已經成熟了。在把它們開發(fā)出來并推向市場之后，如何取得更好的經營效益、實現(xiàn)持續(xù)發(fā)展，是公司思考的重點。”雷海波指出。一般來說，在一個工藝節(jié)點上主工藝平臺首先發(fā)展的是邏輯工藝或者是RF。隨著技術的成熟再逐漸開發(fā)特色工藝平臺，如高壓工藝平臺、CIS工藝平臺、eFlash工藝平臺等。對于中國大陸半導體公司來說，由于與國際先進水平存在著1．5～2代的代差，因此在工藝平臺開發(fā)之初，就不能把力量僅僅集中在標準工藝上，也要關注特色工藝的開發(fā)。

“目前，華力的28納米平臺已在開發(fā)邏輯芯片和射頻芯片了。相信在3～5年后，CIS和嵌入式閃存也將移植到28納米平臺上?！崩缀２ǜ嬖V記者。

CIS、eFlash將移植到28納米工藝平臺

華力在建設一期項目時已下大力開發(fā)特色工藝。基于自主研發(fā)的55納米低功耗邏輯工藝平臺，華力推出了多個先進的特色工藝技術平臺，包括55納米圖像傳感器工藝、55納米高壓工藝、55納米超低功耗工藝、55納米射頻工藝和55納米嵌入式閃存工藝平臺。其中，55納米圖像傳感器工藝是中國本土唯一利用12英寸在55納米工藝節(jié)點進行高端圖像傳感器芯片制造，并最早進入大規(guī)模量產，結合當前雙鏡頭、物聯(lián)網等市場應用熱點，已成為華力主要營收來源之一。

基于實際經驗，華力在二期建設時將推進“先進成熟工藝”作為重點。55納米后，CIS的下一個技術節(jié)點是40納米?！拔磥?，華力將會把CIS工藝導入到28納米工藝平臺上?！崩缀２ū硎?。

華力二期建設在2016年12月時項目已經動工?！皩崿F(xiàn)了當年規(guī)劃、當年開工。目前，打樁工作已經完成，接下來我們要建設主體廠房及動力廠房，確保在今年年底前廠房封頂，并安裝部分機電設備。同時，我們的工藝設備選型工作已經開始，將在今年年底前完成前期1萬片的設備訂單，以保證在2018年年底前形成1萬片的產能?！崩缀２ㄍ嘎丁?/p>

然而，在產線的建設過程中有一點特別需要注意。“中國企業(yè)不能一味追蹤摩爾定律的垂直主線進度，在相對國際先進水平1．5～2代的代差難以短期迅速拉近的情況下，我們應當首先將相對先進的工藝做好、做扎實，以先進的工藝平臺發(fā)展特色生產線，將業(yè)務做寬、做實。這是最現(xiàn)實的選擇?！崩缀２ㄖ赋觥?/p>