新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發(fā)與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經(jīng)量產(chǎn)并且廣泛應用于工業(yè)、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發(fā)中，不久就會發(fā)布。

太陽能/光伏的應用市場會繼續(xù)穩(wěn)步成長，特別是在中國。在技術上，逆變器會朝向更高的能效、允許更寬的電池板輸入電壓、更小的體積、更高的可靠性方向去發(fā)展。所以，更高頻化的應用、新材料如碳化硅(SiC)的應用、更多的功能、集成化多電平的模塊應用等方面可能是未來逆變器設計的一些主要方向。

安森美半導體中國解決方案工程中心(SEC)高級經(jīng)理 陳立烽

安森美提供高能效和更小漏電流解決方案

安森美半導體一直致力于在新能源這一領域，同時非常注重新技術的開發(fā)與新材料器件的應用。在光伏逆變器上，我們推出了我們第三代的超級結MOS管，相比前一代產(chǎn)品，新一代的MOS管利用電荷平衡技術，大幅減少了導通電阻RDS(on)與門極電荷Qg，可使系統(tǒng)的能效顯著提高，并承受極端dv/dt 額定值。如N溝道MOSFET FCH023N65S3_F155和FCH040N65S3_F155，100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試，RDS(on)典型值分別為19.5 mΩ、35.4 mΩ，Qg典型值分別為222 nc、136 nc。在IGBT方面，Trench溝道的第四代的場截止(Field-stop) IGBT大幅減小了關斷損耗，從而可以使IGBT在更高的頻率下工作來滿足更高的功率密度的要求。如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155，具備高電流能力、高輸入阻抗、快速開關和緊密的參數(shù)分布等特性。另外，SiC二極管也是安森美半導體在光伏應用中的一個拳頭產(chǎn)品，目前已經(jīng)量產(chǎn)。相比于竟爭對手的方案，我們有更高的能效和更小的漏電流。

安森美半導體不光在分立器件上有業(yè)界領先的產(chǎn)品，我們也結合我們在功率模塊上的先進技術，推出了我們的太陽能功率集成模塊 (PIM)。集成化的模塊包括了IGBT及整流器，采用安森美半導體的專有溝槽場截止技術(FS)及強固的超快快速恢復二極管，配置為中點鉗位式T型拓撲結構，能效可超過98%?？膳渲玫姆庋b平臺采用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳，可以提供更高的功率密度、更高的性能與更高的可靠性。

不同的應用可能對系統(tǒng)或者對產(chǎn)品的關注也會不一樣，像電機控制領域，所需要的產(chǎn)品就需要具備高集成度、高可靠性的特點。更細分一下，像無人機上的電調(diào)控制板，除了上述所說的對電機驅動的要求以外，還要求有更小的體積。

安森美半導體可以提供從幾瓦到幾十千瓦的電機控制的方案， 這些方案中包括我們的一些智能功率模塊(IPM)、集成式的半橋功率驅動臂、集成的三相預驅動器，還有全系列的功率MOS和IGBT. 同時，我們也提供一些集成算法控制的“控制+功率”的整體方案。