在今年年初，三星、臺(tái)積電、英特爾在10nm制程上良率的不佳的問(wèn)題被接連曝光了，其中影響最大的莫過(guò)于三星了，因?yàn)?a class="innerlink" href="http://ihrv.cn/tags/高通" title="高通" target="_blank">高通計(jì)劃在今年第二季度正式戳驍龍835處理器，良率的問(wèn)題將會(huì)導(dǎo)致持續(xù)的供貨不足；英特爾是最放松的，他們?cè)?017年年初發(fā)布了采用14nm的kabyLake，10nm工藝依舊沒(méi)有被引進(jìn)到生產(chǎn)之中；臺(tái)積電的10nm 工藝同樣出現(xiàn)了良率低的問(wèn)題，不過(guò)在臺(tái)積電的最大客戶蘋果準(zhǔn)備在9月發(fā)布新品，所以他們依然有時(shí)間來(lái)解決良率太低的問(wèn)題。

如果10nm未能達(dá)到臺(tái)積電欲其中的良率，那么產(chǎn)能不足的問(wèn)題將會(huì)持續(xù)，對(duì)于其他客戶來(lái)說(shuō)，無(wú)法拿到最先進(jìn)的10nm工藝，那么采用改良版的16nm也是一個(gè)非常不錯(cuò)的選擇。臺(tái)積電的16nm工藝最早在2015年開始量產(chǎn)，雖然外界很多消息表示臺(tái)積電的16nm和三星的14nm只是20nm工藝的改良版本，不過(guò)在性能和功耗上要強(qiáng)于20nm很多。在傳出臺(tái)積電10nm工藝良率不加的時(shí)候，關(guān)于臺(tái)積電將推出12nm救場(chǎng)的消息就開始了。

臺(tái)積電這一次推出的10nm工藝，其實(shí)就是現(xiàn)有16nm工藝的微縮改良版，具有更低的漏電率和成本，并且在線寬方面超越了三星的14nm工藝。臺(tái)積電將16nm改良版更名為12nm的目的是反擊三星、格羅方德、中芯國(guó)際等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的工藝優(yōu)勢(shì)，牢牢掌控10－28nm的晶圓代工市場(chǎng)。

其實(shí)格羅方德在去年就退出了12nm FD－SOI工藝，與16nm FinFET工藝相比，12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0％，性能提升15％，掩膜成本較10nm降低40％。不過(guò)由于三星方面已經(jīng)明確表示，他們的10nm工藝主要是針對(duì)低功耗平臺(tái)，所以格羅方德直接跳過(guò)了10nm，開始了7nm工藝的研發(fā)。

雖然臺(tái)積電將16nm工藝使用了四代，不過(guò)工藝更成熟的他們可以在更短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨；而格羅方德則稍顯尷尬，他們的12nm FD－SOI要量產(chǎn)還需要更多的時(shí)間，這也將會(huì)導(dǎo)致他們繼續(xù)落后世界最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造。