新的一年開始，說說全球半導(dǎo)體業(yè)的運(yùn)勢(shì)。

通常數(shù)據(jù)要到今年的3月才陸續(xù)出齊，但是去年底的IEDM，每年初的CES及由SEMI組織的半導(dǎo)體工業(yè)策略年會(huì)（ISS）在美國(guó)舊金山的半月灣（9-11日），以及臺(tái)積電的Q4法說會(huì)等己經(jīng)結(jié)束，因此基本的參考點(diǎn)可能己經(jīng)具備。

據(jù)己經(jīng)公布的數(shù)據(jù)，如Gartner的2017年半導(dǎo)體同比增長(zhǎng)4.7%，達(dá)3400億美元，德意志銀行（Deutschebank）于去年12月的預(yù)測(cè)今年半導(dǎo)體增長(zhǎng)5%，WSTS于去年11月的秋季預(yù)測(cè)，、2016年半導(dǎo)體同比下降0.1%，以及2017年半導(dǎo)體增長(zhǎng)3.3%。SEMI預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠持續(xù)沖擊產(chǎn)能下，將擺脫去年疲弱，恢復(fù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)，預(yù)估年產(chǎn)值將超過3，600億元，年增5~7%。再有張忠謀的預(yù)測(cè)，2017半導(dǎo)體增長(zhǎng)4%，代工增長(zhǎng)7%，及臺(tái)積電的增長(zhǎng)5%-10%等。

推動(dòng)力是什么？

產(chǎn)業(yè)預(yù)測(cè)要依數(shù)據(jù)，不能拍腦袋。

TSMC在Q4的法說會(huì)上認(rèn)為，全球智能手機(jī)出貨量同比增長(zhǎng)6%，其中高階手機(jī)增長(zhǎng)3%，中階手機(jī)增長(zhǎng)5%及低階手機(jī)增長(zhǎng)8%。計(jì)算機(jī)出貨量同比下降5%，平板電腦下降7%，物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品出貨量增長(zhǎng)34%。Gartner預(yù)測(cè)全球個(gè)人電腦，平板，超移動(dòng)產(chǎn)品及手機(jī)等，2017年出貨量總計(jì)23億臺(tái)，與2016年持平。

集邦科技（DRAMexchange）預(yù)測(cè)2017Q1服務(wù)器內(nèi)存模組價(jià)格平均增長(zhǎng)25%，高容量的增長(zhǎng)30%以上，DDR4 32Gb己突破200美元，16GbRDIMM也攀升至100美元。存儲(chǔ)器市況從2016年6月觸底反彈后，從最低每單位1.31美元一路走升，年底攀底至1.94美元，且在供給有限而需求增加的狀況下，存儲(chǔ)器今年有望延續(xù)漲勢(shì)。

IC Insight作了未來五年（2016至2020年）全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)的年均增長(zhǎng)率CAGR達(dá)7.3%，由2016年的773億美元，增加至2020年的1，099億美元，表明未來的存儲(chǔ)器市場(chǎng)是一片光明。

但是張忠謀在Q4的法說會(huì)上明確2017年代工業(yè)是flat，平坦，意味著今年全球代工可能會(huì)不及去年，值得我們要警惕。

怎么樣來解讀2017半導(dǎo)體業(yè)的“運(yùn)勢(shì)”

解讀產(chǎn)業(yè)的運(yùn)勢(shì)，不同的人有不同的看法?？偟目捶ㄖ链?017年半導(dǎo)體業(yè)的表現(xiàn)不突出，也不悲觀，可能會(huì)受全球政治大格局的影響，不確定性增多，尤其是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)展。

從終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)方面，計(jì)算機(jī)，平板電腦仍是下降，智能手機(jī)的增長(zhǎng)已顯乏力，而新的市場(chǎng)亮點(diǎn)，如AR/VR，自動(dòng)駕駛，智能家居與城市，包括物聯(lián)網(wǎng)等，描繪的前景都十分誘人，但是市場(chǎng)的碎片化，那一個(gè)都無法與計(jì)算機(jī)，手機(jī)這樣的體量，個(gè)人的持有量可以相比擬。歸根結(jié)底，近階段尚缺乏量大面廣的終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)，要么體量不夠大，或者是如物聯(lián)網(wǎng)等，雖然它們的體量夠大，但是硅含量偏小。

從工藝制程技術(shù)方面，盡管10納米己經(jīng)量產(chǎn)，7納米已經(jīng)箭在弦上，然而它們的投資金額太大，需要更長(zhǎng)的爬坡時(shí)間（有人認(rèn)為成品率暫時(shí)不高）。而對(duì)于新的方向，如3D NAND，新的替代存儲(chǔ)器，EUV光刻，TSV，2.5D，3D封裝等那個(gè)都是技術(shù)上的“硬骨頭”，需要金錢，時(shí)間與耐心。

半導(dǎo)體工藝制程不斷的推進(jìn)，并非是一帆風(fēng)順，己經(jīng)有多次認(rèn)為可能走不下去，而后又“重見光明”。至此，7納米己無懸念，可能還在討論5納米怎么辦？但是己經(jīng)有人說未來可以達(dá)到1納米？簡(jiǎn)直讓人不可思議。

臺(tái)積電7納米已在今年第1季進(jìn)行試產(chǎn)，主要客戶包括可程序邏輯門陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）、繪圖芯片大廠輝達(dá)（NVIDIA）等，業(yè)界亦盛傳高通的高階手機(jī)芯片將回到臺(tái)積電并采用7納米投片。臺(tái)積電公布計(jì)劃2017年第4季可完成產(chǎn)能建置及認(rèn)證，隨后就進(jìn)入量產(chǎn)階段，因此2018年進(jìn)入7納米量產(chǎn)。

業(yè)界人士表示，英特爾在開發(fā)14納米時(shí)其實(shí)就已落后6-9個(gè)月，多年來它推崇的摩爾定律也宣告棄守。由于新增優(yōu)化（Optimization）程序，英特爾現(xiàn)階段制程更新周期也從原先的兩年延長(zhǎng)至三年。

盡管如此，英特爾在沖刺10納米的競(jìng)賽中仍然落后臺(tái)積電至少兩個(gè)季度，據(jù)媒體之前報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電已在2016年第二季試產(chǎn)10納米制程成功，第四季有望領(lǐng)先同業(yè)進(jìn)入量產(chǎn)。而英特爾的Cannon lake Tick 10納米將于2017年底量產(chǎn)。

由于臺(tái)積電的每年近100億美元的投資以及大量的研發(fā)人員，預(yù)計(jì)在2020年時(shí)進(jìn)入5納米量產(chǎn)。

相較之下，臺(tái)積電的10納米、7納米制程技術(shù)雖然可能落后于英特爾，但臺(tái)積電比英特爾提前1-2年跨入7納米制程，可藉此縮短兩家公司的差距。臺(tái)積電在獨(dú)家封裝技術(shù)“整合型扇出型封裝”（integrated fan-out，InFO）的協(xié)助下，有望在2017年、2018年霸占10納米和7納米的晶園代工市場(chǎng)。

IC Knowledge總裁Scotten Jones認(rèn)為，近期觀察眾多邏輯芯片制造商將進(jìn)入5納米制程，其中臺(tái)積電的進(jìn)程可能最先到達(dá)，于2019年下半年，但是很快大家就并駕齊駛。

GF的首席執(zhí)行官Gary Patton認(rèn)為，盡管摩爾定律可能終止，但是我們總能找到未來繼續(xù)前行的出路。

隨著器件進(jìn)入原子層極限，Gary Patton預(yù)測(cè)芯片制造商在2020年附近會(huì)采用環(huán)柵晶體管架構(gòu)。

2019年下半年半導(dǎo)體業(yè)可能會(huì)進(jìn)入采用EUV的5nm時(shí)代，至少在部分工藝中會(huì)使用EUV，但是仍將釆用finFET晶體管架構(gòu)。然而再下一代的3.5納米，可能會(huì)采用水平的納米線，意味著傳統(tǒng)的工藝尺寸縮小時(shí)代終止。

雖然如此，Coventor的工藝模型專家認(rèn)為利用2.5納米代的堆疊n納米線及p納米線還能提供60%-70%的晶體管密度增加，表示持續(xù)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步可以一直到2025年。

ASML CEO確認(rèn)2017年EUV出貨13臺(tái)，包括2016年的一臺(tái)訂單，2018年24臺(tái)，2019年40臺(tái)，每臺(tái)單價(jià)在1億歐元左右，CEO進(jìn)一步確認(rèn)無論是邏輯晶圓廠還是存儲(chǔ)晶圓廠的需求在2017年都明顯趨好，因此公司認(rèn)為2017年度銷售額將存在“a significent growth”）業(yè)界對(duì)于EUV光刻寄于厚望，然而EUV的技術(shù)進(jìn)展一再推遲，盡管前景看似十分光明，但是誰(shuí)也無法預(yù)測(cè)2018年真能步入量產(chǎn)水平。EUV要能與193納米浸液式光刻在成本上具有競(jìng)爭(zhēng)力，恐怕至少要在4次圖形光刻（SAQP）時(shí)，因此當(dāng)EUV光刻在2020年真正變成量產(chǎn)的設(shè)備時(shí)，估計(jì)那時(shí)的7納米-5納米己成為市場(chǎng)的主力應(yīng)用，它將推動(dòng)全球半導(dǎo)體業(yè)至另一波新的高潮。

2017年除了存儲(chǔ)器芯片會(huì)漲價(jià)之外，其它暫時(shí)還看不到有太多的亮點(diǎn)，fabless增長(zhǎng)已顯頹勢(shì)，而代工業(yè)的盛況恐也不如之前，雖然臺(tái)積電是一馬當(dāng)先，但是三星，英特爾，中芯國(guó)際等都會(huì)加入，所以全球代工的競(jìng)爭(zhēng)更加激烈。

未來的3年：半導(dǎo)體由“小衰/小靚”全面轉(zhuǎn)向到“平穩(wěn)增長(zhǎng)”， 到2020年時(shí)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將可能超過5000億美元，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的進(jìn)展起到重要的助推作用。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)需要有耐心，時(shí)間與堅(jiān)持

2017年對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是十分關(guān)鍵。因?yàn)?015年依然“兼并”打頭陣，積聚足夠的上升動(dòng)能，2016年進(jìn)入芯片生產(chǎn)線的建線高潮，許多存儲(chǔ)器，12英寸生產(chǎn)線項(xiàng)目開工，所以今年部分項(xiàng)目將進(jìn)入量產(chǎn)，或者進(jìn)入設(shè)備安裝階段，也即大量投資階段，更主要的是工藝制程技術(shù)方面的突破，為2018年這些生產(chǎn)線進(jìn)入量產(chǎn)要作好準(zhǔn)備。

對(duì)于現(xiàn)階段的建線高潮，造勢(shì)重要，然而冷靜更不可缺，因?yàn)閺默F(xiàn)在起真正的投資會(huì)開始，風(fēng)險(xiǎn)的機(jī)率增大。任何產(chǎn)能的擴(kuò)充，只要有錢，相對(duì)是簡(jiǎn)單的，關(guān)鍵是產(chǎn)能要變成為“有效產(chǎn)能”。顯然，有效產(chǎn)能是越多越受歡迎，所以必須能在全球競(jìng)爭(zhēng)中勝出。

對(duì)于如28納米，HKMG的邏輯代工，及32層3D NAND等量產(chǎn)都是關(guān)鍵的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，要有客觀的基本認(rèn)識(shí)，不太可能一蹴而就，需要耐心與時(shí)間，它是有綜合的因素所決定，沒有捷徑。但是對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是沒有退路，只有迎難而上，所以骨干企業(yè)必須要有擔(dān)當(dāng)。

2017年對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)是個(gè)關(guān)鍵，不確定因素增多，因?yàn)槲覀兊膶?duì)手，它能出牌的機(jī)會(huì)很多，隨便拿一張出來，對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)會(huì)有大的影響，顯然對(duì)手也一定會(huì)得到相應(yīng)的“回報(bào)“。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)要首先要有如果最環(huán)的情況出現(xiàn)如何應(yīng)對(duì)的預(yù)案？歸納起來基本有兩條，一是不懼怕，因?yàn)橹耙苍羞^，懼怕也改變不了現(xiàn)狀，相反有可能會(huì)變成“好事”，倒逼我們堅(jiān)持自力更生，奮發(fā)圖強(qiáng)：二是不動(dòng)搖，更不退縮，因?yàn)檫@也是中國(guó)的國(guó)策之一。

未來中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展向前迅速進(jìn)步是無疑的，但是需要有足夠的耐心及時(shí)間，真正的考驗(yàn)是在生產(chǎn)線的產(chǎn)能建成之后，它能變成為“有效產(chǎn)能”，以及能持續(xù)的生存下來。