中國上海，2016年12月27日–日本半導(dǎo)體制造商株式會社 東芝（Toshiba） 存儲&電子元器件解決方案公司旗下東芝電子有限公司宣布，東芝的64層BiCS FLASHTM產(chǎn)品榮獲《電子產(chǎn)品世界》2016年度“編輯推薦獎”之“最佳創(chuàng)新理念獎”。

　　由于物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等信息密集度較高的應(yīng)用領(lǐng)域的快速發(fā)展，實(shí)時性能被視為重要要求，大量的數(shù)據(jù)必須由大數(shù)據(jù)系統(tǒng)進(jìn)行管理或無限期存儲到數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)系統(tǒng)。在這種情況下，需要大容量存儲以便能夠以高速和低功耗的方式處理、存儲和管理大量的數(shù)據(jù)。而且對于移動終端、存儲卡等應(yīng)用而言，低功耗存儲的需求正在日益增長。BiCS FLASH相比于平面NAND閃存提供了許多優(yōu)點(diǎn)，它正逐步成為滿足市場要求的解決方案。

　　東芝于1987年發(fā)明了NAND閃存，并且率先于1991年開始量產(chǎn)該產(chǎn)品，這開創(chuàng)了世界的先例。隨后，通過縮小制造工藝和工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)，東芝不斷增大NAND閃存的容量，并于2007年6月推出全球首款[1]BiCS FLASHTM原型技術(shù)。多年來通過不斷致力于下一代技術(shù)以及大批量生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)的東芝，在2016年7月推出世界首款[2]64層3D NAND樣品，進(jìn)一步滿足了國際市場對更小體積、更大容量閃存的需求。

　　本次獲獎的最新一代64層BiCS FLASHTM 技術(shù)產(chǎn)品，其采用了3位元（三階存儲單元，TLC）技術(shù)，容量達(dá)到256千兆比特（32GB），與48層堆疊工藝相比，東芝領(lǐng)先的64層堆疊工藝使每單元芯片尺寸容量提高40%，降低了位存儲成本并提高了每個硅晶片內(nèi)存容量的可制造性。64層BiCS FLASH?這一重大進(jìn)步凸顯了東芝專利結(jié)構(gòu)的潛力，不僅可以滿足嚴(yán)苛的性能規(guī)格需求，同時充分發(fā)揮了BiCS FLASH產(chǎn)品的高密度／高容量、快速編程速度、高可靠性、低功耗等特點(diǎn)，該新器件將適用于企業(yè)級和消費(fèi)級固態(tài)硬盤、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡等應(yīng)用。

　　東芝表示，為了應(yīng)對快速發(fā)展的信息技術(shù)，東芝將繼續(xù)完善BiCS FLASH?技術(shù)，公司發(fā)展藍(lán)圖的下一里程碑是64層512千兆比特（64GB）器件。未來，東芝將推出更多主要瞄準(zhǔn)大容量應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)品組合，如消費(fèi)級固態(tài)硬盤、企業(yè)級固態(tài)硬盤等，同時該技術(shù)的閃存同樣可以應(yīng)用于智能手機(jī)、平板機(jī)、存儲卡。