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GF否認放棄重慶12寸廠 重慶廠先做0.18um

2016-11-01

       晶圓代工大廠格羅方德(GlobalFoundries)技術長帕頓(Gary Patton)日前說明在2014年買下IBM半導體事業(yè)后有關14納米及7納米技術發(fā)展近況。同時,為與同業(yè)建立市場區(qū)隔,格羅方德也投入FD-SOI(全耗盡型絕緣層上覆硅)市場,并推出22/12FDX制程平臺搶進物聯(lián)網芯片代工市場。

  近期市場傳出格羅方德可能暫緩大陸重慶合資晶圓廠的計劃,帕頓予以否認,并表示在大陸擁有自己的生產據點是很重要的策略,預期未來幾年格羅方德在大陸的營收將有倍數成長,而未來重慶廠主要角色是支援新加坡廠的產能及技術,會先由0.13/0.18微米制程開始。

  格羅方德向三星取得14納米技術授權后,目前已進入量產。帕頓表示,在14納米部分,格羅方德去年第4季良率提升到成熟穩(wěn)定階段后,今年第2季順利推出基于14納米的制程設計套件(PDK),格羅方德至今已出貨數百萬顆14納米芯片,同時有超過30個客戶共同合作。

  7納米技術部分,格羅方德預計2018年第1季進行風險生產,已有客戶進行設計及認證,主要針對高效能運算市場所設計,特別是在服務器及資料中心采用的芯片。由于7納米制程的功耗上明顯優(yōu)于上一代的14納米,也十分適合應用在5G基礎建設等網絡通訊處理器市場。

  至于在價格競爭較激烈的移動設備應用處理器部分,格羅方德也會提供7納米晶圓代工服務,除了每片晶圓可切割的芯片數可較上代的14納米多出1倍,每顆芯片成本可降低30%,最明顯的仍是在功耗上的降低可大于60%。

  帕頓說明,7納米的設計上是可以支援極紫外光(EUV)微影技術,雖然目前主要仍是采用浸潤式微影,但只要EUV技術可以進入量產,格羅方德的7納米也可以直接轉進采用EUV微影技術。而來自IBM的團隊也提供了格羅方德很大的研發(fā)能力。

  格羅方德也推出針對物聯(lián)網低功耗芯片量身打造的22納米制程及22FDX平臺,該制程主要是基于FD-SOI制程開發(fā)出來的,除了可提供非常低功耗、達到類似鰭式場效電晶體(FinFET)的效能外,在成本上則與傳統(tǒng)28納米制程相近。

  格羅方德22FDX平臺已在今年第2季推出制程設計套件,約有50個客戶共同加入合作,預期在今年第4季進行風險生產,明年第1季可以進入量產。格羅方德也宣布將在2019年推進至12納米的12FDX制程平臺,等于提供完整的制程微縮及建立起FD-SOI技術藍圖。

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