隨著智能硬件對芯片性能、功耗的要求提升，半導體制程的推進也更為令人關注，而在英特爾宣布進入ARM芯片代工市場后，晶圓代工行業(yè)戰(zhàn)火再次升級。英特爾、臺積電、三星、GlobalFoundries等半導體制造巨頭在制程推進方面的部署也更受矚目。

　　晶圓是指硅半導體的集成電路制作所用的硅晶片，因為它的形狀是圓形的，所以把它叫做晶圓，在硅晶片上可以加工制作成各種的電路元件的結構，而成為有特定電性功能的IC產品。而常說的XX nm指的是，CPU的上形成的互補氧化物金屬半導體場效應晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。

　　臺積電

　　10nm：

　　近日，媒體采訪了臺積電聯(lián)合CEO劉德音，他表示按照計劃來說10nm新品會與2017年第一季度出貨，稍晚于三星，但是自家的技術會領先對手，所以不會擔心。據報道，臺積電目前已經完成10nm制程研發(fā)準備，將在今年年底正式將10nm投入量產階段。據悉，10nm工藝下的芯片面積將比目前的16FF+減小50%，但性能提升50%，耗電減少40%。

　　7nm：

　　臺積電7nm芯片的市場預計將于2017年第二季度開始，最終產品預計最早在2018年開始量產。臺積電表示7nm工藝將主要用于需要高性能計算的移動產品，而根據以往經驗，蘋果將成為7nm工藝的主要客戶。另外，臺積電表示它們已經獲得了新思科技的認證，即將開始測試7nm制程的移動芯片。

　　5nm：

　　臺積電對于5nm技術開發(fā)，則從今年初開始進行，預計2019年上半年完成試產，與7nm技術演進維持二年差距。

　　3nm：

　　此前，臺積電共同CEO劉德音在媒體采訪中曾透露過3nm制程的進度，他表示，目前組織了300~400人的團隊研發(fā)中。

　　三星

　　10nm：

　　10月19日，三星電子正式宣布已經開始采用10nm FinFET工藝量產邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內首家大規(guī)模采用10nm工藝的廠商。據悉，三星目前的10nm工藝是10LPE，也就是早期低功耗版。

　　三星對于10nm芯片如此解釋——相比14nm工藝，10nm工藝制造的芯片性能提升27%，同時功耗降低達40%，并且10nm工藝允許每個晶圓多制造30%的芯片。

　　7nm：

　　至于7nm制程，三星表示將跳過一個采用目前浸潤式微影技術的7nm節(jié)點版本，不過將會推出采用EUV的7nm節(jié)點，目標是在2018年底以前量產。

　　英特爾

　　10nm：

　　今年初，Intel曾針對移動平臺公布過處理器路線圖，顯示明年第三季度會發(fā)布10nm工藝的Cannon Lake處理器，N系列則會由Q3季度的Apollo Lake取代，而針對平板市場的14nm Cherry Trail則會被Q4季度的Broxton SoC處理器取代。

　　英特爾CEO科再奇此前也曾宣布過，10nm的芯片可能要到2017年下半年才能面市。

　　7nm：

　　據相關消息稱，Intel的7nm工藝將再延后兩年到2022年量產。

　　GlobalFoundries

　　7nm：

　　早前，GlobalFoundries公司CTO Gary Patton在接受采訪時表示會取消10nm工藝，14nm FinFET工藝之后會直接上7nm工藝。

　　9月份時，該公司已經自行開發(fā)了采用浸潤式步進機的7nm制程，預計2018年量產。Globalfoundries一位發(fā)言人表示，浸潤式7nm米制程將達到1，700萬電晶體閘極/每平方mm的邏輯密度。