隨著智能硬件對(duì)芯片性能、功耗的要求提升，半導(dǎo)體制程的推進(jìn)也更為令人關(guān)注，而在英特爾宣布進(jìn)入ARM芯片代工市場后，晶圓代工行業(yè)戰(zhàn)火再次升級(jí)。英特爾、臺(tái)積電、三星、GlobalFoundries等半導(dǎo)體制造巨頭在制程推進(jìn)方面的部署也更受矚目。

　　晶圓是指硅半導(dǎo)體的集成電路制作所用的硅晶片，因?yàn)樗男螤钍菆A形的，所以把它叫做晶圓，在硅晶片上可以加工制作成各種的電路元件的結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能的IC產(chǎn)品。而常說的XX nm指的是，CPU的上形成的互補(bǔ)氧化物金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管柵極的寬度，也被稱為柵長。

　　臺(tái)積電

　　10nm：

　　近日，媒體采訪了臺(tái)積電聯(lián)合CEO劉德音，他表示按照計(jì)劃來說10nm新品會(huì)與2017年第一季度出貨，稍晚于三星，但是自家的技術(shù)會(huì)領(lǐng)先對(duì)手，所以不會(huì)擔(dān)心。據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電目前已經(jīng)完成10nm制程研發(fā)準(zhǔn)備，將在今年年底正式將10nm投入量產(chǎn)階段。據(jù)悉，10nm工藝下的芯片面積將比目前的16FF+減小50%，但性能提升50%，耗電減少40%。

　　7nm：

　　臺(tái)積電7nm芯片的市場預(yù)計(jì)將于2017年第二季度開始，最終產(chǎn)品預(yù)計(jì)最早在2018年開始量產(chǎn)。臺(tái)積電表示7nm工藝將主要用于需要高性能計(jì)算的移動(dòng)產(chǎn)品，而根據(jù)以往經(jīng)驗(yàn)，蘋果將成為7nm工藝的主要客戶。另外，臺(tái)積電表示它們已經(jīng)獲得了新思科技的認(rèn)證，即將開始測試7nm制程的移動(dòng)芯片。

　　5nm：

　　臺(tái)積電對(duì)于5nm技術(shù)開發(fā)，則從今年初開始進(jìn)行，預(yù)計(jì)2019年上半年完成試產(chǎn)，與7nm技術(shù)演進(jìn)維持二年差距。

　　3nm：

　　此前，臺(tái)積電共同CEO劉德音在媒體采訪中曾透露過3nm制程的進(jìn)度，他表示，目前組織了300~400人的團(tuán)隊(duì)研發(fā)中。

　　三星

　　10nm：

　　10月19日，三星電子正式宣布已經(jīng)開始采用10nm FinFET工藝量產(chǎn)邏輯芯片，三星也成為了業(yè)內(nèi)首家大規(guī)模采用10nm工藝的廠商。據(jù)悉，三星目前的10nm工藝是10LPE，也就是早期低功耗版。

　　三星對(duì)于10nm芯片如此解釋——相比14nm工藝，10nm工藝制造的芯片性能提升27%，同時(shí)功耗降低達(dá)40%，并且10nm工藝允許每個(gè)晶圓多制造30%的芯片。

　　7nm：

　　至于7nm制程，三星表示將跳過一個(gè)采用目前浸潤式微影技術(shù)的7nm節(jié)點(diǎn)版本，不過將會(huì)推出采用EUV的7nm節(jié)點(diǎn)，目標(biāo)是在2018年底以前量產(chǎn)。

　　英特爾

　　10nm：

　　今年初，Intel曾針對(duì)移動(dòng)平臺(tái)公布過處理器路線圖，顯示明年第三季度會(huì)發(fā)布10nm工藝的Cannon Lake處理器，N系列則會(huì)由Q3季度的Apollo Lake取代，而針對(duì)平板市場的14nm Cherry Trail則會(huì)被Q4季度的Broxton SoC處理器取代。

　　英特爾CEO科再奇此前也曾宣布過，10nm的芯片可能要到2017年下半年才能面市。

　　7nm：

　　據(jù)相關(guān)消息稱，Intel的7nm工藝將再延后兩年到2022年量產(chǎn)。

　　GlobalFoundries

　　7nm：

　　早前，GlobalFoundries公司CTO Gary Patton在接受采訪時(shí)表示會(huì)取消10nm工藝，14nm FinFET工藝之后會(huì)直接上7nm工藝。

　　9月份時(shí)，該公司已經(jīng)自行開發(fā)了采用浸潤式步進(jìn)機(jī)的7nm制程，預(yù)計(jì)2018年量產(chǎn)。Globalfoundries一位發(fā)言人表示，浸潤式7nm米制程將達(dá)到1，700萬電晶體閘極/每平方mm的邏輯密度。