臺(tái)積電7納米晶圓制程進(jìn)度飛快，繼先前傳出要在2018年第1季放量生產(chǎn)7納米芯片、比英特爾(Intel Corp.)足足快三年之后，最新消息顯示，臺(tái)積電內(nèi)部預(yù)估，7納米最快明(2017)年4月就可開(kāi)始接受客戶(hù)下單。

　 　25日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電研發(fā)單位已在內(nèi)部會(huì)議中，揭露未來(lái)幾年的最新研發(fā)藍(lán)圖，根據(jù)幾名資深高層的說(shuō)法，該公司今年底就會(huì)轉(zhuǎn)換至10納米，7納米則會(huì)在明年 試產(chǎn)、估計(jì)明年4月就可接單，而16納米FinFET compact制程(FFC，比16FF+更精密)也將在今年導(dǎo)入。7納米制程可大幅提升省電效能(時(shí)脈約3.8Ghz、核心電壓(vcore)達(dá) 1V)，臨界電壓(threshold voltage)最低可達(dá)0.4V，適用溫度約為150度。

　　報(bào)道稱(chēng)，跟16FF+相較，10納 米FinFET制程可讓芯片尺寸縮小50%、運(yùn)算效能拉高50%、耗電量降低40%。相較之下，7納米(采的應(yīng)該是FinFET制程)的運(yùn)算效能只能拉高 15%、耗電量降低35%，電晶體密度增加163%，改善幅度遠(yuǎn)不如10納米。這是因?yàn)?，臺(tái)積電的10納米FinFET制程大約等同英特爾的14納米，7 納米制程則大致跟英特爾的10納米相當(dāng)、甚至較遜。

　　超微(AMD)早已暗示會(huì)從16納米制程直接跳至7納米，但晶圓代工合作伙伴格羅方 德(GlobalFoundries)的7納米卻要等到2018年才會(huì)試產(chǎn)，比臺(tái)積電晚了近一年之久。超微早已修改了協(xié)議，合作伙伴不再僅限于格羅方德， 假如臺(tái)積電的制程遠(yuǎn)優(yōu)，那么超微完全有可能倒戈投向臺(tái)積電的懷抱。

　　Fudzilla甫于9月9日?qǐng)?bào)道，臺(tái)積電高層在本周的SEMICON Taiwan國(guó)際半導(dǎo)體展表示，7納米制程有望在2018年Q1放量生產(chǎn)。臺(tái)積電從2014年初開(kāi)始投入7納米制程研究，預(yù)定2017年上半進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)(Risk Production)，再過(guò)一年后量產(chǎn)，搭載7納米芯片的消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)可同時(shí)上市。

　　臺(tái)積電在SEMICON展前記者會(huì)表示，該公司的7納米芯片效能應(yīng)會(huì)優(yōu)于同業(yè)，相信未來(lái)四年成長(zhǎng)將來(lái)自智能機(jī)、高性能計(jì)算(HPC)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)產(chǎn)業(yè)。四月份臺(tái)積電表示，有20名顧客對(duì)7納米制程感興趣，預(yù)料明年有15位客戶(hù)會(huì)設(shè)計(jì)定案(tape-out)。

　　外媒從英特爾的征才啟示抽絲剝繭，發(fā)現(xiàn)似乎暗示7納米量產(chǎn)時(shí)間延至2021年，追不上臺(tái)積電的2018年，慢到連車(chē)尾燈都看不到。

　　The Motley Fool先前報(bào)道，英特爾在印度班加羅爾尋找處理器設(shè)計(jì)工程師，原本內(nèi)容寫(xiě)明，負(fù)責(zé)研發(fā)預(yù)定2020年問(wèn)世的處理器核心和圖形卡，使用英特爾前瞻的7納米制程。不過(guò)近來(lái)英特爾修改征人告示，時(shí)間從2020年改為2022年。