微觸發(fā)單向可控硅TSE2P4M和TSE0405采用全新的設(shè)計(jì)方法和工藝技術(shù)，大大改善了其開(kāi)關(guān)性能和溫度特性。經(jīng)國(guó)內(nèi)主要摩托車(chē)電器裝備廠(chǎng)家使用實(shí)踐證明，該產(chǎn)品能夠克服上一代產(chǎn)品中存在的觸發(fā)電流不易控制、溫度特性差和開(kāi)關(guān)速度低等弱點(diǎn)，有效提高點(diǎn)火器的點(diǎn)火能量及可靠性，其電性能已經(jīng)達(dá)到了國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品的水平。該產(chǎn)品將在2008年8月22日在重慶舉辦的“2008摩托車(chē)電子應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新研討會(huì)”會(huì)上發(fā)布及展示。

TSE2P4M和TSE0405是利用短基區(qū)擴(kuò)散層的次表面層形成G-K間較大的橫向擴(kuò)散電阻RGK，當(dāng)可控硅的門(mén)極和陰極間加電流IG時(shí)，在RGK上產(chǎn)生一個(gè)電壓降VR，只有當(dāng)VR≥P-N結(jié)的門(mén)坎電壓VR時(shí)，可控硅才會(huì)觸發(fā)。這項(xiàng)新技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，克服了目前市場(chǎng)上的微觸發(fā)單向可控硅溫度特性差、IGT離散性大、開(kāi)關(guān)速度低、VTM大的弱點(diǎn)，有效提升性能，滿(mǎn)足了客戶(hù)的需求。