獎(jiǎng)項(xiàng)認(rèn)可器件為大功率開關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立新的基準(zhǔn)

　　2016 年 9 月8日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，今日宣布公司新的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG獲2016年度“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”，這是由《今日電子》與21IC中國電子網(wǎng)聯(lián)合舉辦，于電子業(yè)備受認(rèn)同的確定高品質(zhì)產(chǎn)品的一個(gè)基準(zhǔn)。

　　這些1200伏特(V) IGBT利用安森美半導(dǎo)體專有的超場截止溝槽技術(shù)并符合現(xiàn)代開關(guān)應(yīng)用的嚴(yán)格要求，如不間斷電源、太陽能逆變器和焊接。它們能實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先行業(yè)的總開關(guān)損耗(Ets)特點(diǎn)，顯著提升的性能部分歸因于極寬的高度觸發(fā)的場截止層及優(yōu)化的共同封裝二極管。

　　安森美半導(dǎo)體功率分立器件分部副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“我們很高興公司新的超場截止1200 V IGBT獲得Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)，認(rèn)可了我們?yōu)榇蠊β书_關(guān)系統(tǒng)在電源能效設(shè)立的新基準(zhǔn)。安森美半導(dǎo)體已投入可觀資金，利用我們專有的超場截止溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)IGBT器件，完美地平衡VCEsat和Ets，降低開關(guān)損耗，增強(qiáng)電源能效，提供強(qiáng)固工作和高性價(jià)比?！?/p>

　　每年的Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)項(xiàng)需通過專家評(píng)委會(huì)嚴(yán)格的評(píng)估和推薦程序鑒別一系列電源產(chǎn)品。評(píng)審提名產(chǎn)品的3個(gè)主要標(biāo)準(zhǔn)為：創(chuàng)新設(shè)計(jì)、性價(jià)比及技術(shù)突破。