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意法半導(dǎo)體推出新款超結(jié)MOSFET

全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管
2016-08-16

  中國(guó),2016年8月16日——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管,其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結(jié)MOSFET。

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  電視和PC等設(shè)備常用的開(kāi)放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導(dǎo)致功率晶體管引腳之間產(chǎn)生高壓電弧放電現(xiàn)象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類(lèi)應(yīng)用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規(guī)封裝時(shí),需要鑄封、引線(xiàn)成形、套管或密封等特殊工藝,這款新封裝將引腳間距擴(kuò)至4.25mm,讓電源廠(chǎng)商能夠滿(mǎn)足現(xiàn)行安全標(biāo)準(zhǔn),將現(xiàn)場(chǎng)電源故障率降至最低,而無(wú)需使用這些附加的防電弧工藝,從而簡(jiǎn)化了制造過(guò)程,提高了生產(chǎn)效率。

  在提供優(yōu)異的防電弧功能的同時(shí),TO-220FP爬電還保留了深受市場(chǎng)歡迎的TO-220FP的出色電特性。此外,相似的外觀(guān)尺寸還可以簡(jiǎn)化安裝問(wèn)題,確保符合現(xiàn)有安裝流程。

  TO-220FP寬爬電間距封裝是意法半導(dǎo)體與其客戶(hù)——韓國(guó)知名電源廠(chǎng)商SoluM的合作開(kāi)發(fā)成果。SoluM 正在使用這款優(yōu)異封裝開(kāi)發(fā)穩(wěn)健性和成本效益高于競(jìng)品的電源解決方案。

  意法半導(dǎo)體TO-220FP寬爬電功率晶體管目前進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段,支持一家全球主導(dǎo)電視廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括四款完全達(dá)標(biāo)的600V低導(dǎo)通電阻RDS(ON) MDmesh? M2 MOSFET晶體管,額定電流8A至34A。1500V STFH12N150K5和1200V STFH12N120K5 MDmesh K5產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2016年第三季度前參加相關(guān)認(rèn)證測(cè)試。

  詳情訪(fǎng)問(wèn):www.st.com/mosfet.


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