2016年8月12日，美國加州圣克拉拉——一年一度的內存峰會（Flash Memory Summit）于當?shù)貢r間8月9日至11日，在美國加州圣克拉拉舉行。全球閃存領軍企業(yè)齊聚一堂，紛紛推出巿場最新閃存技術及產(chǎn)品。在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）在本次峰會中展出首款PCIe SSD 控制芯片解決方案SM2260，作為PCIe 3.0 NVMe 1.2 的控制芯片，SM2260為8通道設計，最高可支持2TB 容量。

　　圖一：慧榮科技展出SM2260解決方案

　　在本次展會中，我們還可以看到此款SM2260搭配 3D NAND的效能表現(xiàn)：讀取速度可達2370MB，輸寫速度為1039MB，讀寫表現(xiàn)可圈可點。另外，SM2260控制器采用了RAID保護功能的專有NANDXtend?技術，有效提升解錯能力，并確保數(shù)據(jù)的完整性。該款產(chǎn)品經(jīng)過多項兼容性及穩(wěn)定測試后才得以上巿，可謂眾望所歸。根據(jù)慧榮科技工作人員表示，SM2260已經(jīng)被知名SSD 廠商所采用，很快就會在巿場上看見。

　　圖二：SM2260控制芯片各方面性能表現(xiàn)

　　除了SM2260 PCIe SSD 主控芯片外，慧榮科技還介紹了新推出的搭載 3D TLC NAND的SM2258控制器，性能表現(xiàn)同樣出色，完勝巿場上大多數(shù)SATA SSD。

　　圖三：SM2258控制芯片各方面性能表現(xiàn)

　　另外，在本次閃存峰會上，寶存科技也展出企業(yè)級SSD解決方案。

　　圖四：寶存科技展臺

　　寶存科技攜Shannon Direct-IO? PCIe Flash及U.2(8639) PCIe Flash產(chǎn)品再度亮相閃存峰會。該系列產(chǎn)品不僅性能上不斷完善，而且閃存顆粒工藝也由19/20nm更換為15nm，從成本上滿足了企業(yè)對高性價比的追求。

　　圖五：寶存科技推出的Shannon Direct-IO? PCIe Flash系列

　　圖六：寶存科技推出的Shannon Direct-IO? U.2(8639) PCIe Flash系列

　　寶存科技預計將于今年下半年發(fā)布遵循NVMe標準的PCIe Flash產(chǎn)品，在本次展會現(xiàn)場可以找到該款產(chǎn)品的相關資料。寶存科技的NVMe是遵循PCIe標準的高速存儲設備。相比Direct-IO? PCIe Flash基于標準PCIe的高度可定制化架構，寶存科技的NMVe會擁有更好的通用性，并且在中小容量段更有應用的優(yōu)勢。通過Direct-IO?和NMVe兩條PCIe產(chǎn)品線的構建，滿足不同用戶對不同場景的性能需求。

　　圖七：寶存科技NVMe產(chǎn)品性能數(shù)據(jù)

　　在今年全球閃存峰會中，除了一睹慧栄科技在閃存技術的優(yōu)勢外，也可以了解慧栄過去十年的成果?；蹣s科技致今已經(jīng)銷售超過５０倍顆閃存相關主控芯片，成為全球銷售第一的王者品牌。

　　圖八：慧榮科技過去十年發(fā)展歷程