《電子技術(shù)應(yīng)用》
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田中貴金屬工業(yè) S.E.I 開發(fā)出高輸出功率LED模組

2016-04-12
關(guān)鍵詞: 田中貴金屬 S.E.I 金粒子 LED

  - 使用“AuRoFUSE(TM)”可解決散熱性與熱膨脹問題,使產(chǎn)品的外形較過去變得更小、成本也變得更低

  - 預(yù)期未來將延伸應(yīng)用至冷凍倉庫用等嚴(yán)酷環(huán)境下的LED照明、車用照明等各種產(chǎn)品上

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  路燈(和光電研株式會社)

  

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投射燈(和光電研株式會社)

  

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投射燈(株式會社S.E.I

  東京, Apr 12, 2016 - (ACN Newswire) - 田中貴金屬工業(yè)株式會社(※1)(總公司:東京都千代田區(qū)、執(zhí)行總裁:田苗 明)、株式會社S.E.I(總公司:島根縣濱田市、總裁:齊藤 誠人)兩家公司宣布,因采用了以次微米大?。ㄈf分之1厘米)金粒子為原料的低溫接合材料“AuRoFUSE(TM)”(※2),而開發(fā)出輸出功率較過去產(chǎn)品更高的LED(發(fā)光二極體)模組。

  本LED模組的接合材料采用“AuRoFUSE(TM)”,與目前主流的打線接合法(※3)不同,能夠以面朝下接合(※4)的方式進(jìn)行焊接。這樣的方式能夠確保高散熱性,同時(shí)提升電器性能,更能進(jìn)一步制造出模組大小的小型化產(chǎn)品。此外,過去的面朝下接合結(jié)構(gòu)(※5)必須使用價(jià)格高昂的氮化鋁基板,但若采用“AuRoFUSE(TM)”就能夠直接與金屬基板接合,成本不僅較為低廉,還能制造出更小型且高性能的模組。

  今后預(yù)計(jì)將本模組引入或融入高功率的投射燈產(chǎn)品等的制程中,并致力開發(fā)出冷凍倉庫用等嚴(yán)酷環(huán)境下的LED照明和車用照明等各式各樣的產(chǎn)品。

  - LED模組所面臨的問題

  LED照明開啟時(shí)會發(fā)熱而使溫度上升,造成輸出功率減弱,因此如何提升散熱性一直都是開發(fā)更高輸出功率LED模組的主要課題。然而若采用目前主流的打線接合方式,因LED的發(fā)光面位在頂部表面,不容易散熱至外側(cè),故散熱程度仍然有所限制。因此,能夠使LED晶片和基板直接接合的面朝下接合法便備受矚目。

  面朝下接合結(jié)構(gòu)的發(fā)光面(熱源)較接近基板側(cè),故較容易散熱至外側(cè)。不僅如此,也可免除打線所需的配線空間,而使產(chǎn)品得以小型化,且因本身并不具線路,故具有電器性能較佳等優(yōu)點(diǎn)。不過以目前的技術(shù)來說,必須使用昂貴的氮化鋁作為基板材質(zhì),若考慮成本,改為面朝下接合構(gòu)造在實(shí)際上執(zhí)行上仍有困難。

  - 本LED模組的優(yōu)點(diǎn)

  本LED模組采用了以“AuRoFUSE(TM)”為接合材料的面朝下接合結(jié)構(gòu),因此能夠直接和金屬基板接合。LED晶片和金屬基板的熱膨脹系數(shù)差異較大,故在一般接合時(shí)常發(fā)生破損的情況。然而“AuRoFUSE(TM)”所含的Au粒子能夠減緩熱膨脹引起的變形,因此得以成功地和基板直接接合。

  本LED模組可適應(yīng)過度的溫度高低變化,因此可用于預(yù)計(jì)今后進(jìn)出口時(shí)需求漸增的冷凍倉庫用照明。此外,可將小型模組應(yīng)用于車用照明的制造,以提升車輛的設(shè)計(jì)性等,甚至能夠解決過去成本高昂、開發(fā)困難的各種問題,以擴(kuò)展產(chǎn)品制造的多樣性。

  - 田中貴金屬工業(yè)、S.E.I的使命與今后發(fā)展

  在這次的開發(fā)過程中,田中貴金屬工業(yè)負(fù)責(zé)制造并提供接合材料“AuRoFUSE(TM)”,株式會社S.E.I則負(fù)責(zé)本模組的制造。通過此次的開發(fā),田中貴金屬工業(yè)對顧客能夠以更接近最終成品的觀點(diǎn)來提出材料的相關(guān)建議。

 ?。ā?)田中貴金屬工業(yè)株式會社:在以田中控股株式會社為控股公司的田中貴金屬集團(tuán)中,發(fā)展制造事業(yè)的核心企業(yè)。

 ?。ā?)AuRoFUSE(TM):

  AuRoFUSE(TM)是在粒徑控制至次微米大小的金粒子中混合了有機(jī)溶劑的膠狀接合材料。一般而言,微細(xì)粒子具有“燒結(jié)”特性,一旦被以低于熔點(diǎn)的溫度加熱,粒子會互相結(jié)合?!癆uRoFUSE(TM)”被加熱至 200°C時(shí)溶劑會先蒸發(fā),無需施重,金粒子即會燒結(jié)結(jié)合;在溫度 300°C下也可維持約 30 兆帕(MPa)的充足接合強(qiáng)度。在接合時(shí)無需壓迫構(gòu)成零件,即可達(dá)成高溫時(shí)的接合強(qiáng)度。

 ?。ā?)打線接合(Wire Bonding):

  利用導(dǎo)線使晶片電性連接上導(dǎo)線架和基板的方法。因仍適用傳統(tǒng)的LED安裝技術(shù),故為目前主流的接合方式。

 ?。ā?)面朝下接合(Face-down Bonding):

  利用突起狀的端子(bump),使晶片電性連接上導(dǎo)線架和基板的方法。翻轉(zhuǎn)具有電極的晶片頂部表面,使其和基板直接接合。

 ?。ā?)面朝下接合結(jié)構(gòu): 經(jīng)面朝下接合而成的基板結(jié)構(gòu)。


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