美國加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS) 發(fā)布首個1200V碳化硅(SiC)二極管 —— FFSH40120ADN，納入即將推出的SiC解決方案系列。1200V二極管憑借卓越的開關性能、更高的可靠性和較低的電磁干擾(EMI)，成為下一代光伏逆變器、工業(yè)電機控制器和電焊機的理想選擇，所有這些應用都不斷面臨著提高功率密度和能源效率的要求。

　　Fairchild高功率工業(yè)事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理趙進表示：“市場趨勢和日益嚴苛的行業(yè)標準共同推動了市場對高能效產(chǎn)品的需求，我們的新型1200V二極管經(jīng)專門設計，可幫助制造商滿足這些不斷上升的能效要求，提供更好的可靠性、耐用性和成本效率。碳化硅相較于硅而言具有巨大優(yōu)勢，因此我們使用這種材料制作二極管，在構(gòu)建全面的碳化硅方案系列過程中，我們將會開發(fā)出更多基于SiC的半導體器件?！?/p>

　　FFSH40120ADN二極管具有一流的低泄漏電流性能，在高達175°C的工作溫度下，泄漏電流量遠低于其競爭產(chǎn)品。1200V SiC二極管的主要優(yōu)勢在于它具有超快的開關速度且無反向恢復電流，與硅器件相比，它能夠大大降低開關損耗并實現(xiàn)卓越的能效。更快的開關速度同時也能讓制造商減小產(chǎn)品電磁線圈以及相關無源組件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統(tǒng)重量，并降低物料(BOM)成本。

　　該二極管在較寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定開關的能力是造就其優(yōu)越性能的另一大因素，而能夠消除電壓過沖隱患的零恢復電壓特性同樣功不可沒。

　　由于SiC的熱性能優(yōu)于硅，F(xiàn)FSH40120ADN二極管的耐用性和可靠性要大大超過基于硅的同等二極管。SiC的擊穿電壓比硅器件高十倍，而SiC的導熱性也比硅器件高三倍。