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Fairchild將在Tech Shanghai 研討會上 介紹最新的高效電源解決方案

2016-03-08

  中國香港 – 2016 年 3月 7日 — 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild (NASDAQ: FCS) 于今日宣布將在2016 Tech Shanghai行業(yè)技術(shù)論壇上介紹其高效電源解決方案。該電源管理功率器件技術(shù)論壇將于3月15日在上??鐕少彆怪行呐e行。

  Tech Shanghai電源管理及功率器件技術(shù)論壇詳情:

  日期:2016年3月15日

  時間:上午10:40

  主題:Fairchild 高效電源解決方案

  本次主題將介紹 Fairchild 采用高效率高密度功率設(shè)計的分立式半導(dǎo)體解決方案,用于諸如電信、服務(wù)器、UPS、逆變器、能源存儲、EV 充電器等應(yīng)用。新解決方案是持續(xù)開發(fā)工藝和封裝技術(shù)的成果。本次演講將展示 Fairchild SuperFET? III、IGBT 和功率趨勢產(chǎn)品的工藝技術(shù)和封裝技術(shù),有助于系統(tǒng)工程人員實現(xiàn)高效率和高密度設(shè)計的目標(biāo)。

  研討會注冊連結(jié):https://www.fairchildsemi.com.cn/about/events/

  另外,Tech Shanghai 技術(shù)活動還包括有展覽會部份,F(xiàn)airchild 將于其展位展示最新的解決方案。

  Tech Shanghai展會詳情:

  日期:          2016年3月14日-16日

  展會地點:           上??鐕少彆怪行?(上海市普陀區(qū)中江路35號)

  展位號:               A06

  Fairchild最新的高性能解決方案:

   Grid to Wall – 智能電表, 離線建筑自動化, 離線服務(wù)器電源

   100V FET 技術(shù) – 最新方案

   Double Pulse – FS4 IGBT + 1200V 高性能碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 二極管展示

   先進(jìn)封裝技術(shù) –  Motion SPM?模塊, MOSFET


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