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美高森美發(fā)布優(yōu)化用于大功率HF VHF 和 UHF收發(fā)開關應用的PIN二極管開關元件

可處理 100 MHz至 1 GHz 的100W 連續(xù)波功率的 單片式微波表面安裝SP2T開關
2016-02-19

  致力于在功耗、安全、可靠和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 發(fā)布新型大功率單片式微波表面安裝(MMSM)串-并聯(lián)SP2T PIN二極管反射開關MPS2R10-606。這款器件優(yōu)化用于磁共振成像(MRI)接收陣列 和 應答器、軍用、航空航天和航海無線電通信等應用中高頻(HF)、極高頻(VHF)和超高頻(UHF) 的大功率收發(fā)組件(T/R),用于具有挑戰(zhàn)性的射頻(RF)電源、小信號開關和接收器功率限制功能,充分利用美高森美50年來提供優(yōu)質PIN二極管產品的獨特悠久歷史。

  美高森美新型MPS2R10-606開關提供從100MHz至1 GHz的頻率覆蓋范圍,在中等頻帶上具有0.2dB插入損耗、15dB回波損耗和55dB隔離性能,并通過簡單的模擬控制電壓以實現(xiàn)500 納秒(nS)開關速度,同時處理高達100 W連續(xù)波(CW)功率。MPS2R10-606采用緊湊的非磁性2.03 mm x 1.27 mm格式供貨,滿足EU指令2002/95/EC的危害性物質限制指令( RoHS)標準要求,并完全兼容貼裝和表面安裝技術(SMT)回流焊制造技術。

  美高森美RF/微波分立產品業(yè)務部門高級總監(jiān)兼部門經理Vincent Cannistraro表示:“我們的MRI和通信射頻客戶需要更高的功能集成水平及削減外形尺寸,從而推動市場對于具有更高密度、功能性和性能的PIN二極管開關的需求。我們的新型PIN二極管開關技術采用緊湊型MMSM封裝尺寸,是這個領域中的關鍵推動力量,并允許實施功率水平比傳統(tǒng)砷化鎵(GaAs)、金屬半導體場效應晶體管和silicon-on-SOI解決方案顯著提高的設計?!?/p>

  而且,MPS2R10-606技術支持公共安全、航空、船舶和軍用手持和機架安裝無線電硬件(JTRS),這對于打擊各種國際和國內威脅是至關重要的。由于美高森美的PIN二極管MMSN開關無磁性,因此具有實施MRI接收陣列所需要的高密度和高性能。

  根據(jù)市場研究機構Strategy Analytics最近的調查,陸上軍用無線電市場將于2024年達到65億美元,而美高森美MPS2R10-606器件結合了緊湊尺寸、快速開關速度和高CW功率處理能力,是這個不斷增長市場的理想選擇。

  美高森美:繼續(xù)保持在PIN二極管領域的領導地位

  美高森美繼續(xù)開發(fā)頂尖PIN二極管產品,目前提供全面廣泛的RF和微波砷化鎵(GaAs)及硅PIN二極管產品,范圍包括從能夠實現(xiàn)高達40 GHz開關速度的超低結電容(Cj)電子束PIN二極管,直至經設計能夠處理60dBm CW功率的大功率PIN二極管。這些PIN二極管產品經設計實現(xiàn)低互調開關和衰減,涵蓋各種各樣的應用,包括移動和固定通信系統(tǒng)、以至Ka-band頻率雷達系統(tǒng)、寬帶電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)、測試儀表、MRI系統(tǒng)、蜂窩基站、軟件定義無線電(SDR)、T/R開關控制和雙工器。美高森美PIN二極管提供裸片、倒裝晶片、電子束引腳(beam-lead)、帶狀線(stripline)、玻璃軸向、塑料、陶瓷、低磁性、密封、晶圓級和表面安裝選項。

  MPS2R10-606的主要特性包括:

  ·100W CW 功能處理能力

  ·低插入損耗:0.2 dB

  ·高隔離性能:55 dB

  ·低回波損耗:15 dB

  ·高開關速度:500 nS

  ·堅固的玻璃體和穩(wěn)定的低泄漏鈍化


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