2015年NAND Flash的主要成長(zhǎng)動(dòng)力主要來(lái)源于市場(chǎng)對(duì)eMMC和SSD更大容量的需求，而這一需求，推動(dòng)了Flash原廠三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士等利用先進(jìn)1ynm工藝加快導(dǎo)入TLC。在原廠技術(shù)和產(chǎn)能的驅(qū)動(dòng)下，2015年NAND Flash市場(chǎng)供應(yīng)量超過(guò)810億GB當(dāng)量，較2014年成長(zhǎng)20%；消費(fèi)類(lèi)每GB當(dāng)量NAND Flash銷(xiāo)售價(jià)格已下探至0.12美金，跌幅超過(guò)40%。而且，這一供過(guò)于求的狀況還將持續(xù)到2016年上半年，預(yù)計(jì)下半年市況將有好轉(zhuǎn)。

     消費(fèi)類(lèi)SSD市場(chǎng)，SATAIII接口基本已實(shí)現(xiàn)了市場(chǎng)的普及，隨著產(chǎn)品的發(fā)展，SSD接口將由SATAIII向PCIe過(guò)渡以實(shí)現(xiàn)速度的提升。隨著PCIe接口規(guī)范的發(fā)展，PCIe Gen3 x1最高傳輸速度達(dá)到1GB/s，是SATAIII接口速度的2倍， PCIe Gen3 x4擴(kuò)展速度更是達(dá)到最高4GB/s，這也是推動(dòng)SSD接口向PCIe發(fā)展的最大推動(dòng)力。