• 供量超過810億GB當(dāng)量,較2014年成長20%
  • 產(chǎn)量1ynm TLC規(guī)?;慨a(chǎn),產(chǎn)量增加30%
  • 成本每片Wafer的Flash Die成本下滑20%
  • 價(jià)格市場供過于求,閃存產(chǎn)品價(jià)格跌幅達(dá)35%
  • 轉(zhuǎn)折2016,48層TLC 256Gb 3D NAND續(xù)寫摩爾定律
2015年NAND Flash市場供應(yīng)量810億GB當(dāng)量
     2015年NAND Flash的主要成長動(dòng)力主要來源于市場對(duì)eMMC和SSD更大容量的需求,而這一需求,推動(dòng)了Flash原廠三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士等利用先進(jìn)1ynm工藝加快導(dǎo)入TLC。在原廠技術(shù)和產(chǎn)能的驅(qū)動(dòng)下,2015年NAND Flash市場供應(yīng)量超過810億GB當(dāng)量,較2014年成長20%;消費(fèi)類每GB當(dāng)量NAND Flash銷售價(jià)格已下探至0.12美金,跌幅超過40%。而且,這一供過于求的狀況還將持續(xù)到2016年上半年,預(yù)計(jì)下半年市況將有好轉(zhuǎn)。

eMMC將從高端智能型手機(jī)開始向UFS 2.0過渡

2015年主要eMMC供應(yīng)商市占份額

隨著Flash原廠TLC技術(shù)不斷成熟,且eMMC控制芯片提高ECC的糾錯(cuò)能力,增強(qiáng)TLC耐用性,TLC eMMC性能已基本能達(dá)到MLC eMMC水平,且容量和成本更能滿足智能型手機(jī)對(duì)64GB和128GB的需求。

eMMC 5.0、eMMC5.1、UFS2.0性能表現(xiàn)對(duì)比

產(chǎn)品實(shí)際應(yīng)用中,與eMMC5.0相比,UFS2.0連續(xù)讀寫速度可提高一倍多,4KB隨機(jī)讀寫速度更是提高2倍,如果基于3D NAND的UFS 2.0,將有更出色的速度表現(xiàn),可更大幅度的提升智能型手機(jī)性能。


消費(fèi)類SSD發(fā)展趨勢:TLC和PCIe接口

消費(fèi)類SSD:MLC、TLC市占率
     SSD需求正在快速增長,其中消費(fèi)類市場客戶對(duì)價(jià)格較為敏感,產(chǎn)品競爭也容易陷入價(jià)格戰(zhàn),TLC SSD更低的成本可大幅提升市場競爭力,因此各廠商爭相推出TLC SSD搶奪市場。究其根源,一方面,原廠積極導(dǎo)入1ynm TLC工藝擴(kuò)大128Gb規(guī)?;慨a(chǎn),且3D技術(shù)從48層開始均采用TLC架構(gòu)。另一方面,控制芯片廠采用糾錯(cuò)能力更高的LDPC技術(shù)提高TLC耐用度,延長了TLC SSD使用壽命。

客戶端SSD接口發(fā)展趨勢
     消費(fèi)類SSD市場,SATAIII接口基本已實(shí)現(xiàn)了市場的普及,隨著產(chǎn)品的發(fā)展,SSD接口將由SATAIII向PCIe過渡以實(shí)現(xiàn)速度的提升。隨著PCIe接口規(guī)范的發(fā)展,PCIe Gen3 x1最高傳輸速度達(dá)到1GB/s,是SATAIII接口速度的2倍, PCIe Gen3 x4擴(kuò)展速度更是達(dá)到最高4GB/s,這也是推動(dòng)SSD接口向PCIe發(fā)展的最大推動(dòng)力。

2015年SSD消費(fèi)類市場主要廠商市占份額

2015年SSD在服務(wù)器市場應(yīng)用進(jìn)一步提升,未來大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求推動(dòng)下,將超過PC市場成為SSD最大應(yīng)用市場。



  • 2020年,全球數(shù)據(jù)量將超過40ZB

  • 2020年,約70%-80%的數(shù)據(jù)將存儲(chǔ)在云端

  • 中國的大數(shù)據(jù)建設(shè)給服務(wù)器提出新的要求

  • 3D NAND和3D XPoint技術(shù)大幅提升I/O性能

  • SSD不會(huì)完全取代DRAM和HDD

  • DRAM、SSD、HDD將互補(bǔ)并存于服務(wù)器市場

  • SSD在行業(yè)市場的需求從小容量向大容量轉(zhuǎn)移



日期大事件備注
1月美光與力成投資2.5億美元建封裝廠美光西安重要封測據(jù)點(diǎn)
3月臺(tái)聯(lián)電投資62億美元在廈門新建一座12英寸晶圓廠臺(tái)灣晶圓廠
4月慧榮收購上海寶存信息科技有限公司達(dá)成戰(zhàn)略聯(lián)盟
9月紫光38億美元獲西部數(shù)據(jù)15%股份西部數(shù)據(jù)收購閃迪
10月紫光投資6億美元取得力成25%股份力成是存儲(chǔ)器封裝企業(yè)
11月Marvell與江波龍達(dá)成策略聯(lián)盟發(fā)布SSD產(chǎn)品
11月同方國芯擬投94億美元(600億元RMB)建存儲(chǔ)廠提高芯片生產(chǎn)力
11月英特爾擬35億美元改大連廠為存儲(chǔ)芯片廠大連廠生產(chǎn)3D xPoint可能性很大
11月紫光出資8058萬美元與西部數(shù)據(jù)設(shè)立紫光西部數(shù)據(jù)在NAND Flash業(yè)務(wù)上深度合作