《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 模擬設(shè)計 > 市場分析 > 2016年,3D Flash將續(xù)寫摩爾定律

2016年,3D Flash將續(xù)寫摩爾定律

2016-02-19
關(guān)鍵詞: NandFlash 3D 摩爾定律

隨著原廠NAND Flash工藝向1znm推進(jìn),NAND Flash良率、性能等受到影響,單顆NAND Flash Die容量也很難突破128Gb。為了降低成本提高市場競爭力,以及生產(chǎn)更好性能的NAND Flash,三星最早在2013年推出24層3D NAND, 2015上半年3D NAND以32層TLC量產(chǎn)為主,Q4開始投入48層TLC量產(chǎn),并將NAND Flash Die容量提高至256Gb,推出高達(dá)1.6TB的SSD,規(guī)劃2016年底實(shí)現(xiàn)64層TLC量產(chǎn)。三星3D NAND除了在大陸西安廠投產(chǎn),2015上半年還宣布投資150億美金在韓國平澤市新建工廠,主要用于2D 10nm量產(chǎn)和3D技術(shù)的發(fā)展,預(yù)計2017年投入生產(chǎn)。

東芝/閃迪在2015下半年有48層3D NAND樣品,除在Fab 5二期工廠生產(chǎn)3D NAND,還把Fab 2改成3D NAND量產(chǎn)專用工廠,預(yù)計2016年開始投入生產(chǎn);美光從2015年Q2在新加坡工廠少量生產(chǎn)32層3D MLC NAND,而且還投資40億美金在新加坡新建Fab 10x工廠,為2016年量產(chǎn)下一代3D NAND準(zhǔn)備,預(yù)估滿載月產(chǎn)能大約14萬片;SK 海力士也新建了一座M14工廠,將于2016年生產(chǎn)20nm DRAM和3D NAND。

1.png

與2D工藝相比,3D技術(shù)具有更高的速度,更低的功耗、更長的使用壽命和更大的容量,但三星32層TLC 3D NAND成本僅介于2D 19nm TLC與16nm TLC之間,缺乏競爭力。2016年3D技術(shù)進(jìn)入48層256Gb TLC NAND,再加上Flash原廠3D NAND投產(chǎn)競爭下,3D技術(shù)將越來越有成本優(yōu)勢,預(yù)計2016年底3D NAND市場占有率將達(dá)20%,2018年將提高到45%,逐漸成為NAND Flash主流。

(來源:中國閃存市場)

本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當(dāng)措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。