隨著原廠NAND Flash工藝向1znm推進(jìn)，NAND Flash良率、性能等受到影響，單顆NAND Flash Die容量也很難突破128Gb。為了降低成本提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，以及生產(chǎn)更好性能的NAND Flash，三星最早在2013年推出24層3D NAND， 2015上半年3D NAND以32層TLC量產(chǎn)為主，Q4開始投入48層TLC量產(chǎn)，并將NAND Flash Die容量提高至256Gb，推出高達(dá)1.6TB的SSD，規(guī)劃2016年底實(shí)現(xiàn)64層TLC量產(chǎn)。三星3D NAND除了在大陸西安廠投產(chǎn)，2015上半年還宣布投資150億美金在韓國(guó)平澤市新建工廠，主要用于2D 10nm量產(chǎn)和3D技術(shù)的發(fā)展，預(yù)計(jì)2017年投入生產(chǎn)。

東芝/閃迪在2015下半年有48層3D NAND樣品，除在Fab 5二期工廠生產(chǎn)3D NAND，還把Fab 2改成3D NAND量產(chǎn)專用工廠，預(yù)計(jì)2016年開始投入生產(chǎn)；美光從2015年Q2在新加坡工廠少量生產(chǎn)32層3D MLC NAND，而且還投資40億美金在新加坡新建Fab 10x工廠，為2016年量產(chǎn)下一代3D NAND準(zhǔn)備，預(yù)估滿載月產(chǎn)能大約14萬(wàn)片；SK 海力士也新建了一座M14工廠，將于2016年生產(chǎn)20nm DRAM和3D NAND。

與2D工藝相比，3D技術(shù)具有更高的速度，更低的功耗、更長(zhǎng)的使用壽命和更大的容量，但三星32層TLC 3D NAND成本僅介于2D 19nm TLC與16nm TLC之間，缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。2016年3D技術(shù)進(jìn)入48層256Gb TLC NAND，再加上Flash原廠3D NAND投產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)下，3D技術(shù)將越來越有成本優(yōu)勢(shì)，預(yù)計(jì)2016年底3D NAND市場(chǎng)占有率將達(dá)20%，2018年將提高到45%，逐漸成為NAND Flash主流。

（來源：中國(guó)閃存市場(chǎng)）