美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(NIST)與IBM的研究人員開(kāi)發(fā)了一種溝槽(trenching)技術(shù)，能被用以透過(guò)定向自組裝(self-directed assembly)來(lái)打造元件。

　　研究人員表示，金奈米粒子能像是鏟雪機(jī)那樣運(yùn)作，在磷化銦(indium phosphide)或其他半導(dǎo)體材料層翻攪而過(guò)，形成奈米通道。這種技術(shù)可望被用來(lái)在所謂的實(shí)驗(yàn)室單晶片(lab-on-a-chip)元件上整合雷射、感測(cè)器、波導(dǎo)(wave guides)與其他光學(xué)零組件，支援疾病診斷、篩選實(shí)驗(yàn)性材料與藥物、DNA檢驗(yàn)等等。

　　金粒子的通道挖掘能力是偶然被發(fā)現(xiàn)的，在一個(gè)因?yàn)槲廴疚锒〉哪蚊拙€(nanowires)形成實(shí)驗(yàn)中；NIST化學(xué)研究員Babak Nikoobakht表示：“一開(kāi)始我們非常失望，”但是研究團(tuán)隊(duì)無(wú)心插柳，發(fā)現(xiàn)污染物是水。該實(shí)驗(yàn)的掃描電子顯微鏡影像顯示，結(jié)合水汽的金奈米粒子導(dǎo)致了長(zhǎng)長(zhǎng)直直的奈米通道。

　　在磷化銦半導(dǎo)體的表面上形成的表面定向奈米通道電子顯微鏡影像；那些奈米通道是利用金催化汽態(tài)-液態(tài)-固態(tài)蝕刻制程所形成，而其位置則是由沉積的金圖形(pattern)所定義

　?。▉?lái)源：NIST）

　　研究團(tuán)隊(duì)接下來(lái)梳理出實(shí)現(xiàn)該蝕刻制程所需的化學(xué)機(jī)制與必要條件，選擇性地在半導(dǎo)體表面涂布金并將之加熱；一旦加熱完成，底層的磷化銦就會(huì)融入金奈米粒子，形成金合金。他們接下來(lái)將加熱的水蒸汽導(dǎo)入系統(tǒng)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)水蒸汽溫度達(dá)到攝氏440度以上時(shí)，會(huì)形成長(zhǎng)長(zhǎng)的V型奈米通道；那些通道下方的直線路徑，是由結(jié)晶半導(dǎo)體內(nèi)的規(guī)律重復(fù)晶格所支配。

　　研究人員也能將上述技術(shù)應(yīng)用于磷化鎵(gallium phosphide)與砷化銦(indium arsenide)，這兩種半導(dǎo)體材料也是屬于三五族；這類(lèi)化合物半導(dǎo)體被用以制作LED，或是支援通訊、高速電子等應(yīng)用。Nikoobakht表示，他相信這種蝕刻制程經(jīng)過(guò)調(diào)整之后，能被用以在矽等材料上制作通道圖案。