臺(tái)積電與英特爾、三星的先進(jìn)制程競(jìng)賽依舊打得火熱，10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競(jìng)逐場(chǎng)，三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，看似搶先臺(tái)積電與三星，不過(guò)，臺(tái)積電3日透露，早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，而且預(yù)告5納米也要來(lái)了!

　　臺(tái)積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇，臺(tái)積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示，庫(kù)存調(diào)整已近尾聲，2016有望恢復(fù)成長(zhǎng)，臺(tái)積明年將比今年更好，與先前自家董事長(zhǎng)張忠謀的說(shuō)法一致，劉德音對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)度也透露更多的訊息。

　 　在16納米制程，臺(tái)積電先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程，主打低階智慧手機(jī)與物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，劉德音昨3日指出，目前已設(shè)計(jì)定案 (tape-out)的有27個(gè)，估計(jì)2016年達(dá)到100個(gè)，16納米從原本高階市場(chǎng)主力，進(jìn)一步拓展到中低階市場(chǎng)，劉德音預(yù)估16納米市佔(zhàn)的擴(kuò)展，將 成為明年?duì)I收優(yōu)于去年的重要?jiǎng)幽堋?/p>

　　對(duì)于三星于11月中宣布已運(yùn)用10納米FinFET生產(chǎn)出SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，劉德音透 露，臺(tái)積電已經(jīng)成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM，10納米將在2016年初試產(chǎn)、7納米則有望于2017年第一季試產(chǎn)，與今年9月臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成，參與 美國(guó)圣塔克拉拉舉行的創(chuàng)新平臺(tái)論壇所言進(jìn)度相同。

　　據(jù)孫元成當(dāng)時(shí)說(shuō)法，10納米在2016年底或2017年初將進(jìn)入量產(chǎn)階段，若依此轉(zhuǎn)進(jìn) 進(jìn)度，10納米階段臺(tái)積將有望超車(chē)英特爾，英特爾執(zhí)行長(zhǎng)BrianKrzanich在今年第二季法說(shuō)會(huì)上坦承，下世代(10納米)制程，大約到2017年 下半才會(huì)推出。三星則在今年6月正式將10納米FinFET制程納入開(kāi)發(fā)路圖(Roadmap)，估計(jì)10納米在2016年底、2017年初全面投產(chǎn)，與 臺(tái)積電時(shí)間差不多。

　　值得關(guān)注的是，劉德音在昨3日的論壇向供應(yīng)鏈伙伴預(yù)告，該開(kāi)始準(zhǔn)備5納米了!雖未對(duì)相關(guān)時(shí)程多做說(shuō)明，但也令外界相 當(dāng)期待，然而在10納米以下制程微縮已經(jīng)來(lái)到光學(xué)微影解析的極限，臺(tái)積電年初透露在10納米制程有部分光罩將採(cǎi)用極紫外光 (ExtremeUltraviolet，EUV)微影技術(shù)進(jìn)行曝光，大摩3月份發(fā)表的報(bào)告也指出，EUV將是臺(tái)積電能否在10納米以下制程超車(chē)的關(guān)鍵。