《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IDT公司改進(jìn)RF開關(guān)性能

IDT公司采用KZ恒阻抗技術(shù)的單極雙擲RF開關(guān)改進(jìn)RF開關(guān)性能 IDT公司的F2923在開關(guān)切換時(shí)能夠在所有端口提供恒定阻抗,同時(shí)不影響隔離度、線性度或插入損耗
2015-12-02
關(guān)鍵詞: IDT RF KZ恒阻抗技術(shù) F2923

       美國(guó)加利福尼亞州圣何塞,2015年12月2日 – IDT公司(IDT?)(NASDAQ:IDTI)今天宣布推出業(yè)界首款采用正在申請(qǐng)專利的KZ恒阻抗技術(shù)的單極雙擲(SPDT)RF開關(guān)產(chǎn)品, IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式(absorptive)RF開關(guān),設(shè)計(jì)用于包括基站(2G,3G,4G,5G)、無(wú)線回程、CATV和便攜式手持設(shè)備等多種RF應(yīng)用。

       F2923采用的KZ技術(shù)可以在射頻端口間切換時(shí)控制所有端口的阻抗,保持了回波損耗。對(duì)于沒有采用KZ技術(shù)的常規(guī)開關(guān),由于在開關(guān)時(shí)不能很好地控制開關(guān)阻抗,因而在切換RF路徑時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓駐波比(VSWR)瞬態(tài),該VSWR瞬態(tài)會(huì)降低系統(tǒng)性能以及可靠性。在各種不同的動(dòng)態(tài)或“熱交換”方案下,KZ技術(shù)的優(yōu)勢(shì)包括:

· 最小化TDD系統(tǒng)中切換的Tx/Rx頻率合成器阻抗?fàn)恳突謴?fù)時(shí)間

· 在功率放大器、驅(qū)動(dòng)器和低噪聲放大器等兩個(gè)RF器件之間切換時(shí),可避免產(chǎn)生有害和錯(cuò)誤的瞬態(tài)

· 在開關(guān)如3dB 耦合器(coupler)或者 4通道功分器等分布式網(wǎng)絡(luò)的一個(gè)路徑時(shí),能夠使未切換路徑瞬態(tài)幅度和相位誤差最小化

       IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens 介紹說:“對(duì)于最新的SPDT開關(guān)產(chǎn)品,我們要強(qiáng)調(diào)能夠大幅改善開關(guān)在線切換性能的新KZ技術(shù)。F2923的推出再次證明IDT公司在系統(tǒng)設(shè)計(jì)專家所期望的核心RF技術(shù)創(chuàng)新方面的領(lǐng)導(dǎo)地位?!?/p>

       除了KZ技術(shù),該器件還可提供下述性能:

在2GHz下,插入損耗僅為0.48dB

IIP3大于66dBm @ 2GHz

在2GHz下,業(yè)界領(lǐng)先的74 dB隔離度

       IDT公司創(chuàng)新的KZ技術(shù)覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍,在從一個(gè)RF端口切換到另一個(gè)時(shí)能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗(VSWR <1.4:1,其他標(biāo)準(zhǔn)開關(guān)相比之下為9:1),同時(shí)不影響隔離度、線性度或插入損耗。F2923采用3.3V單電源正電壓供電,支持標(biāo)準(zhǔn)的1.8V和3.3V控制邏輯電平。


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