美國加利福尼亞州圣何塞，2015年12月2日 – IDT公司（IDT?）（NASDAQ：IDTI）今天宣布推出業(yè)界首款采用正在申請專利的KZ恒阻抗技術(shù)的單極雙擲（SPDT）RF開關(guān)產(chǎn)品， IDT F2923是一款低插入損耗單極雙擲吸收式（absorptive）RF開關(guān)，設計用于包括基站（2G，3G，4G，5G）、無線回程、CATV和便攜式手持設備等多種RF應用。

       F2923采用的KZ技術(shù)可以在射頻端口間切換時控制所有端口的阻抗，保持了回波損耗。對于沒有采用KZ技術(shù)的常規(guī)開關(guān)，由于在開關(guān)時不能很好地控制開關(guān)阻抗，因而在切換RF路徑時會產(chǎn)生較大的電壓駐波比（VSWR）瞬態(tài)，該VSWR瞬態(tài)會降低系統(tǒng)性能以及可靠性。在各種不同的動態(tài)或“熱交換”方案下，KZ技術(shù)的優(yōu)勢包括：

· 最小化TDD系統(tǒng)中切換的Tx/Rx頻率合成器阻抗牽引和恢復時間

· 在功率放大器、驅(qū)動器和低噪聲放大器等兩個RF器件之間切換時，可避免產(chǎn)生有害和錯誤的瞬態(tài)

· 在開關(guān)如3dB 耦合器（coupler）或者 4通道功分器等分布式網(wǎng)絡的一個路徑時，能夠使未切換路徑瞬態(tài)幅度和相位誤差最小化

       IDT公司射頻事業(yè)部總經(jīng)理Chris Stephens 介紹說：“對于最新的SPDT開關(guān)產(chǎn)品，我們要強調(diào)能夠大幅改善開關(guān)在線切換性能的新KZ技術(shù)。F2923的推出再次證明IDT公司在系統(tǒng)設計專家所期望的核心RF技術(shù)創(chuàng)新方面的領(lǐng)導地位?！?/p>

       除了KZ技術(shù)，該器件還可提供下述性能：

在2GHz下，插入損耗僅為0.48dB

IIP3大于66dBm @ 2GHz

在2GHz下，業(yè)界領(lǐng)先的74 dB隔離度

       IDT公司創(chuàng)新的KZ技術(shù)覆蓋從300kHz至8000MHz的寬頻率范圍，在從一個RF端口切換到另一個時能夠確保器件具有近乎恒定的阻抗（VSWR <1.4：1，其他標準開關(guān)相比之下為9:1），同時不影響隔離度、線性度或插入損耗。F2923采用3.3V單電源正電壓供電，支持標準的1.8V和3.3V控制邏輯電平。