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Ambiq Micro超低功耗MCU突破EEMBC® ULPBench?限值 翻倍最高分?jǐn)?shù)記錄

Apollo微控制器達(dá)到377基準(zhǔn)分,比185分的先前領(lǐng)先產(chǎn)品超出一倍以上
2015-11-17
關(guān)鍵詞: AmbiqMicro MCU EEMBCULPBench 嵌入式

       超低功耗半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先廠商Ambiq Micro宣布其Apollo微控制器(MCU)創(chuàng)造了微控制器的歷史性記錄,按照業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)EEMBC ULPBench基準(zhǔn)測(cè)試,Apollo MCU所消耗的能量低于其它任何微控制器產(chǎn)品的一半。

AMB003. Lowest_Power_MCU_ULP_Benchmark_Score (PR).jpg

 

       EEMBC ULPBench基準(zhǔn)是幫助嵌入式設(shè)計(jì)人員選擇最低功耗MCU而創(chuàng)建,針對(duì)典型低功耗設(shè)計(jì)工作負(fù)荷進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化,并測(cè)量完成工作負(fù)荷所需的實(shí)際能量。這種方法對(duì)有功電流、睡眠電流、喚醒時(shí)間、內(nèi)核效率,以及緩存效率等MCU運(yùn)作的許多不同行為特性規(guī)范化,然后將這些數(shù)據(jù)合成為開發(fā)人員真正關(guān)注的單一數(shù)值,即是完成具體應(yīng)用所需要的能量。 

       Ambiq Micro高級(jí)營銷總監(jiān)Keith Odland評(píng)論道:“我們很高興達(dá)到這個(gè)歷史性的基準(zhǔn)紀(jì)錄,這說明了Ambiq Micro的亞閾值設(shè)計(jì)方法擁有顯著的節(jié)能優(yōu)勢(shì)。對(duì)于電池供電的可穿戴產(chǎn)品和能量敏感(energy-sensitive) IoT設(shè)備的開發(fā)人員來說,這是一個(gè)非常好的消息。這種性能飛躍能夠延長電池續(xù)航力一倍以上,或者添加更多功能而無需增加功率預(yù)算,將有可能創(chuàng)建全新的消費(fèi)電子產(chǎn)品?!? 

       EEMBC總裁Markus Levy表示:“聲稱Apollo MCU的ULPBench測(cè)試結(jié)果令人振奮,也未足以說明其卓越表現(xiàn);這款器件在實(shí)際的真正世界演示中表明其邏輯門具有近乎完美的電壓傳輸特性,并且具有更低的柵級(jí)輸入電容。EEMBC技術(shù)中心已完成認(rèn)證,我們確認(rèn)Apollo MCU的分?jǐn)?shù)是在符合ULPBench標(biāo)準(zhǔn)要求的情況下達(dá)到的?!?/p>

       Apollo MCU基于帶有浮點(diǎn)單元的高性能32位 ARM? Cortex-M4處理器,運(yùn)作速率高達(dá)24MHz,并且集成了超低功耗存儲(chǔ)器,高達(dá)512kB 閃存和64kB RAM。這款微控制器具有豐富的定時(shí)外設(shè)集、I2C/SPI主和從端口,以及一個(gè)用于與外設(shè)和傳統(tǒng)設(shè)備通信的UART器件。

Apollo的專利亞閾值功率優(yōu)化技術(shù)       (Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT?)使得Apollo MCU器件在工作模式和睡眠模式也可達(dá)到同級(jí)最佳功耗特性。這款微控制器從閃存執(zhí)行指令的功耗僅為34μA/MHz,睡眠模式可以低至140nA,這是獨(dú)一無二的優(yōu)點(diǎn)。

       Ambiq最近宣布Apollo MCU獲選中為Misfit Shine2?可穿戴健身和睡眠監(jiān)測(cè)器的核心,其超低能耗是獲Misfit設(shè)計(jì)人員青睞的關(guān)鍵。

關(guān)于 Ambiq Micro

       Ambiq Micro公司于2010年依據(jù)極低功耗半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)未來關(guān)鍵這一簡單而強(qiáng)大的概念而成立。我們使用開創(chuàng)性超低功耗技術(shù)以幫助世界各地的創(chuàng)新企業(yè)開發(fā)差異化解決方案,減少或消除電池需求和降低整體系統(tǒng)功耗,并且最大限度地提高工業(yè)設(shè)計(jì)靈活性。

       Ambiq Micro公司所開發(fā)的突破性技術(shù)基于其享有專利之亞閾值功率優(yōu)化技術(shù)(Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT?) 平臺(tái),顯著降低半導(dǎo)體器件所消耗的功率,從而使得我們的集成電路產(chǎn)品成為能耗關(guān)鍵性應(yīng)用的理想解決方案。


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