2015 年 7 月 13 日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，正擴展受高度評價的1/3英寸100萬像素(MP)圖像傳感器產(chǎn)品陣容，推出以公司首款背照式(BSI)傳感器技術(shù)的早期樣品用于汽車成像市場。相較當(dāng)前領(lǐng)先市場用于先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的AR0132AT CMOS 圖像傳感器，該創(chuàng)新的新的BSI傳感器技術(shù)提供好4倍的微光信噪比，增加40%的可見光靈敏度，和提升超過60%的近紅外(NIR)性能。

       安森美半導(dǎo)體汽車和掃描分部副總裁Sandor Barna說：“這新的BSI技術(shù)帶給汽車市場的優(yōu)勢是令人興奮的?；诖思夹g(shù)的最先進(jìn)的BSI器件，我們是提供早期樣品階段，它具備真正領(lǐng)先業(yè)界的微光性能，彰顯我們持續(xù)投資于汽車成像技術(shù)的承諾?！?/p>

       首款采用這新技術(shù)的產(chǎn)品將是AR0136AT 1/3英寸光學(xué)制式CMOS數(shù)字圖像傳感器，提供1280 x 960的分辨率和3.75微米BSI像素(p)。AR0136AT支持線性和高動態(tài)范圍(HDR)模式，是一個單芯片HDR方案，在HDR模式下具有120分貝(dB)動態(tài)范圍。它的輸出像素率為74.25 MP/秒(最大值)，由此產(chǎn)生的幀率為在960p分辨率時的45幀每秒(fps)和在720p分辨率時的60幀每秒。它的工作結(jié)溫范圍是-40 °C  至125 °C，并完全符合AEC-Q100。工程樣品將于2015年第三季度提供，計劃于2016年初量產(chǎn)。

關(guān)于安森美半導(dǎo)體

       安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標(biāo)準(zhǔn)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療及軍事/航空應(yīng)用的獨特設(shè)計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。