賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 6 月19 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布采用高度0.357mm的芯片級(jí)MICRO FOOT? 0.8mm x 0.8mm封裝的TrenchFET? 20V N溝道MOSFET---Si8824EDB。Vishay SiliconixSi8824EDB是20V MOSFET中導(dǎo)通電阻最低的器件，尺寸為1mm2或不到0.7mm2，在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備、固態(tài)驅(qū)動(dòng)器，以及助聽(tīng)器等便攜式醫(yī)療設(shè)備中能夠節(jié)省空間，降低功耗，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

     Si8824EDB適用于電源管理應(yīng)用里的負(fù)載開(kāi)關(guān)、小信號(hào)開(kāi)關(guān)和高速開(kāi)關(guān)，具有極低的導(dǎo)通電阻，在 4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻分別為75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ，比采用相同CSP封裝的最接近的20V MOSFET最多低25%，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS為20V，具有ESD保護(hù)功能，能在1.2V下啟動(dòng)，加上低導(dǎo)通電阻，使這顆器件同時(shí)具有安全裕量大、柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)更靈活、高性能的優(yōu)點(diǎn)，可用于鋰離子電池供電的應(yīng)用。

    Si8824EDB的導(dǎo)通電阻與面積乘積極低，只有40mΩ-mm2，比DFN 1mm2封裝的最接近的20V MOSFET低28%，在移動(dòng)應(yīng)用里能夠節(jié)省空間，并降低電池功耗。器件的低導(dǎo)通電阻意味著器件在直流或脈沖峰值電流下的電壓降非常低，以熱的形式浪費(fèi)的電能更少。MOSFET集成了ESD保護(hù)功能，保護(hù)電壓達(dá)2000V，能夠避免在加工或與人體接觸過(guò)程中發(fā)生靜電破壞。

    Si8824EDB現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

VISHAY簡(jiǎn)介

     Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、國(guó)防、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。