臺積電共同執(zhí)行長魏哲家指出，明年下半年將推出更低功耗的16納米FFC制程，10納米將于明年下半量產(chǎn)。

　　臺積電今天召開年度技術(shù)論壇，由共同執(zhí)行長暨總經(jīng)理魏哲家針對先進制程進展發(fā)表演說。他指出，16納米FinFET Plus制程目前已經(jīng)開始生產(chǎn)、下半年放量。魏哲家并透露，臺積將趁勝追擊，再于明年下半年推出更低功耗的16納米FFC制程，同時10納米制程也將于明年下半年量產(chǎn)。

　　魏哲家指出，臺積16納米按照原訂時程，將于今年中量產(chǎn)，預(yù)計年底前將完成超過50個產(chǎn)品的設(shè)計定案。且不僅臺積16納米制程效能優(yōu)于對手，跟自身的20納米相較，也節(jié)省了50%的功耗、且生產(chǎn)周期縮短至20納米的二分之一。他更指出，按照臺積了解、該制程效能比對手好上 10%（應(yīng)指三星），此言顯然對臺積爭奪蘋果A9訂單充滿信心。

　　值得注意的是臺積也首度曝光將推出進階版、功耗更低的16納米FFC制程，該制程功耗與16納米FF+相比，再減少了50%，預(yù)計明年下半年完成客戶端的設(shè)計定案。在下一世代的10納米制 程部分，魏哲家指出，臺積在10納米256Mb SRAM已經(jīng)開始有良率，是全世界第一個達到此里程碑的公司，預(yù)期10納米將于今年第4季進入風(fēng)險生產(chǎn)（risk production）、明年底量產(chǎn)，目前已有超過十個客戶在該制程與臺積進行合作。他強調(diào)，臺積在先進制程的輝煌成果反映了資本支出與RD投入的積極。 臺積今年RD投資金額將年增19%、達到22億美元。全年資本支出則估將年增10~16%、來到105~110億美元之譜，并推升總產(chǎn)能成長12%。

　　指企業(yè)在原材料、設(shè)備、技術(shù)、制程及組織等難以預(yù)料的風(fēng)險下試產(chǎn)或生產(chǎn)，其可能使生產(chǎn)無法按預(yù)定成本完成生產(chǎn)計劃。