日本光阻材料制造大廠JSR株式會(huì)社與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)日前共同簽署合作意向書(shū)(Letter of Intent, LOI)，將攜手成立合資公司，研發(fā)生產(chǎn)下一代極紫外光微影(EUV Lithography)光阻(Photoresist)解決方案，以迎合下世代制程技術(shù)需求，期能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)EUV微影材料制造和品質(zhì)控制。

　　IMEC總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den hove表示，長(zhǎng)期以來(lái)，JSR一直是IMEC的重要策略夥伴，此次合作讓雙方關(guān)系更為緊密，并可建一個(gè)中立且開(kāi)放的創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，使EUV相關(guān)供應(yīng)商在制程步驟和模組發(fā)展的早期階段更深入的參與。此外，藉由JSR生產(chǎn)設(shè)備和IMEC技術(shù)平臺(tái)間更為緊密的合作，也可讓我們的合作夥伴能在下一代微影技術(shù)中采用最好的材料。

　　JSR總裁Nobu Koshiba指出，EUV微影是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體摩爾定律(Moore’s Law)的必備技術(shù)，因此該公司不斷投注心力在該領(lǐng)域的研發(fā)，以滿足產(chǎn)業(yè)需求；不只已成功研發(fā)化學(xué)放大(Amplified)光阻劑，全新設(shè)計(jì)的化學(xué)材料也具備極高的敏感度(Sensitivity)和良好的生產(chǎn)力。除此之外，JSR也將技術(shù)擴(kuò)展至周邊材料，例如多層材料。

　　Koshiba進(jìn)一步談到，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迫切需要材料供應(yīng)商準(zhǔn)備好制造的基礎(chǔ)設(shè)施，以及無(wú)缺陷(Defect-Free)微影技術(shù)方案的品質(zhì)控制能力，同時(shí)還必須提高光阻劑的性能，以與EUV曝光設(shè)備相匹配。

　　EUV微影技術(shù)被視為是將摩爾定律延長(zhǎng)至單位數(shù)(Single Digit)奈米(nm)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的主要驅(qū)動(dòng)力。IMEC和JSR的合作，可讓雙方在開(kāi)發(fā)光阻解決方案時(shí)發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，JSR將提供合資公司其制造技術(shù)，并透過(guò)安裝制造和分析設(shè)備，為其在比利時(shí)的全資子公司--JSR Micro的設(shè)備升級(jí)；IMEC則將為合資公司提供材料品質(zhì)控制的專業(yè)技術(shù)和服務(wù)。除了JSR光阻劑的制造外，該合資公司也將采取機(jī)密性保護(hù)方式，提供其他材料供應(yīng)商付費(fèi)生產(chǎn)的制造能力。