旺矽科技（MPI）攜手羅德史瓦茲（Rohde & Schwarz,R&S）建置高精度晶圓研發(fā)測試解決方案，其中包含了 MPI晶圓探針臺系統(tǒng)與QAlibria校正軟體，提供射頻與毫米波元件及積體電路（IC）研發(fā)人員從校正（calibration）、模擬（modelling）、設(shè)計、驗證到除錯等完整的晶圓研發(fā)測試解決方案；進一步確保半導(dǎo)體元件的品質(zhì)與可靠度，避免后段制程中構(gòu)裝成本的浪費。
       旺矽科技晶圓探針臺系統(tǒng)與TITAN新一代RF探針系列，攜手R&S建置高精度晶圓研發(fā)測試解決方案。
       旺矽科技致力于全球微電子產(chǎn)業(yè)微接觸量測技術(shù)，長期秉持提供先進制程技術(shù)與優(yōu)質(zhì)客戶服務(wù)為理念。在復(fù)雜度與日俱增的奈米制程和時間與成本的雙重壓力下，晶圓的設(shè)計、測試與驗證已成為一大挑戰(zhàn)；旺矽推出全新的MPI晶圓探針臺系統(tǒng)以呼應(yīng)市場需求，此探針臺系統(tǒng)為兼具了易于操作與高準確度的手動測試平臺，并注入多項獨特的設(shè)計概念。此外，旺矽攜手羅德史瓦茲（Rohde & Schwarz, R&S）打造了QAlibria校正軟體，此軟體可直接安裝于R&S ZVA 高階向量網(wǎng)路分析儀中進行 S 參數(shù)量測，將大幅提升測試準確度并加速射頻電路設(shè)計。
       MPI晶圓探針臺系統(tǒng)的氣靜壓載臺設(shè)計，采用了單臂氣浮式控制，大幅加速XY軸定位與晶圓裝載速度，精確度可達 25x25mm XY-Theta 微米移動。在平臺升降的設(shè)計上，可達 1μm 的高精確度，采接觸（Contact）、分離（Separation）到裝載（Loading, 3mm）三段式設(shè)計，并配備安全鎖避免意外發(fā)生造成探頭或晶圓的損壞。精巧且剛性的平臺設(shè)計，最多可容納 10 個 DC 或 4 個 RF 微定位，滿足各種不同的應(yīng)用需求。
       MPI提供了多種晶圓載臺選擇，包括了 MPI 同軸載臺（coaxial chucks）、三軸載臺（triaxial chucks）及支援量測溫度達攝氏300度的多種ERS升溫載臺（thermal chucks），并可與熱感應(yīng)器無縫整合；RF載臺則包含了兩個內(nèi)建陶瓷材質(zhì)的輔助載臺供校正片使用，以提供準確的RF校正。此外，MPI探針臺系統(tǒng)提供了多種顯微鏡調(diào)節(jié)基座的選擇，并支援達 90度傾斜或透過氣動控制、以及線性 Z 軸升降；適用于一般 DC/CV 的應(yīng)用或 MPI SZ10 / MZ12 于 RF 的配置，甚至可以搭配如 Mitutoyo FS70 或 PSM-1000 高倍率觀測顯微鏡進行錯誤分析（Failure Analysis）應(yīng)用。MPI 亦提供減震底座與EMI遮蔽暗室（Dark Box）供客戶進行選配。
       旺矽與R&S攜手打造的 MPI QAlibria免費校正軟體，可直接安裝于R&S ZVA 高階向量網(wǎng)路分析儀中，進行精確且可重復(fù)的 S 參數(shù)量測，快速掌握元件的集膚效應(yīng)（Skin Effect）和介電損耗，精確地搜集更高階的諧波（Harmonic）頻率等測試數(shù)據(jù)。R&S ZVA支援頻率范圍達 110GHz，極高的動態(tài)范圍與輸出功率及快速的量測速度，為毫米波頻段主動及被動元件量測的最佳解決方案；透過搭配 R&SR毫米波轉(zhuǎn)換器可延伸R&S ZVA頻率范圍至 500 GHz。R&SRZVA 于晶圓量測上，可同時搭配 4 個頻率轉(zhuǎn)換器進行毫米波差動量測。R&S ZVA 亦可執(zhí)行微波頻段之混頻器（Mixer）及脈沖量測。
       此外，旺矽推出全新的MPI TITAN新一代RF探針系列，以專利的探針尖設(shè)計，可提供MEMS接觸點（tip）匹配達50 Ohm。其高功率機種可供主被動RF高功率元件測試，在-60至+200的溫度下可提供10 W輸出功率、2A直流電、與250 V 電壓。于單端或雙尖的測試配置下，支援50 ~ 1250 微米（micron）的探針距離、頻率范圍為26 ~ 110 GHz。MPI TITAN新一代RF探針為晶圓S參數(shù)量測的首選，亦可應(yīng)用于110 GHz 微波元件與線路測試。
       MPI晶圓探針臺系統(tǒng)包含了數(shù)種測試解決方案機種- MPI TS50, TS150, TS200 與TS300，分別支援50、150、200與300mm 基體和晶圓的精密分析，適用于錯誤分析、設(shè)計驗證與 IC 工程、晶元級可靠度驗證、MEMS、高功率元件與裝置的特性測試與模擬。