亮相今年MWC大展的兩款三星旗艦Galaxy S6/S6 Edge最大的改變?cè)谟谵饤壛烁咄ǖ尿旪?10處理器，轉(zhuǎn)而使用了自家的Exynos解決方案。而導(dǎo)致這重大改變的原因則是高通芯片的過熱無法滿足三星的需求，現(xiàn)在知名評(píng)測(cè)網(wǎng)站Ars Technica在Primate Labs團(tuán)隊(duì)的幫助下開始對(duì)HTC One M9和LG G Flex 2設(shè)備中所搭載的高通驍龍810和三星的Exynos 7420處理器進(jìn)行更細(xì)致的測(cè)試。

       在性能測(cè)試中可以證實(shí)高通驍龍810處理器的性能確實(shí)要比高通驍龍800、801和805要強(qiáng)悍，用戶可以訪問這里獲得更多的圖表信息。但是在深入的測(cè)試后發(fā)現(xiàn)這種高性能是非常短暫的，為了避免過熱很多智能手機(jī)和平板都會(huì)使用throttling（節(jié)流閥）技術(shù)對(duì)時(shí)鐘頻率進(jìn)行限定，在下面的實(shí)際測(cè)試圖表中對(duì)Exynos 7420的“.big”ARM Cortex A57核心和高通的“.big”核心時(shí)鐘頻率進(jìn)行了測(cè)試，可以看到兩者明顯的差別（其中圖表中空白區(qū)域則是切換到“.LITTLE” ARM Cortex A53核心。）

       兩者在throttling時(shí)間段，高通驍龍810處理器只是運(yùn)行數(shù)分鐘持續(xù)工作之后時(shí)鐘頻率就下降到900MHz，并切換到.LITTLE核心上。而三星自家的Exynos處理器在全程只有數(shù)次切換到.LITTLE核心，而且在15分鐘的測(cè)試時(shí)間段中始終保持比810更高的時(shí)鐘頻率。而這種頻率方面的變化最終可能導(dǎo)致性能下降，并嚴(yán)重影響設(shè)備電池的使用壽命。不過這個(gè)發(fā)熱問題主要是使用臺(tái)積電的20nm制程工藝（三星Exynos為14nm），期待高通的驍龍820能夠妥善的解決這個(gè)問題。