日本富士經(jīng)濟的一份調(diào)查報告稱，按銷售金額計算，功率半導(dǎo)體的全球市場規(guī)模到2020年將達到33009億日元。與2014年的24092億日元相比，將增長約37%。
其中，增長率較高的是SiC、GaN、氧化鎵等新一代功率半導(dǎo)體。預(yù)計到2020年，新一代功率半導(dǎo)體的銷售額將達到1665億日元，約為2014年(129億日元)的約13倍。富士經(jīng)濟認為，SiC功率元件市場將在2016年正式形成。
此外，富士經(jīng)濟還公布了功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的全球市場規(guī)模。2014年這一市場的銷售額為1462億日元，預(yù)測2020年將達到3034億日元。富士經(jīng)濟認為，對該市場起到拉動作用的是SiC功率元件用生產(chǎn)設(shè)備。
另外，此次調(diào)查的詳細情況已刊登于富士經(jīng)濟發(fā)行的《2015年版新一代功率元件與相關(guān)設(shè)備市場的現(xiàn)狀和未來展望》。
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