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2015年3月4日 – IDT公司（IDT?）（NASDAQ：IDTI）今天宣布推出一款高速多路復用器，該產(chǎn)品擴展了IDT公司現(xiàn)有的針對新出現(xiàn)的NVDIMM（非易失性的雙列直插式存儲模塊）生態(tài)系統(tǒng)的DDR4產(chǎn)品組合。此外，美光科技（Micron Technology）已選擇IDT作為其面向企業(yè)級和云端服務器市場的NVDIMM多路復用器首選供應商。
NVDIMM是一個全新的體系架構(gòu)，它通過把數(shù)據(jù)備份到諸如閃存等非易失性存儲器，可以在包括災難性停電等特殊事件中提供DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的數(shù)據(jù)持久性。多路復用器是NVDIMM架構(gòu)的關鍵部件，可以在DRAM和非易失性存儲器之間的“存儲”和“恢復”操作中使主控制器與DRAM存儲器隔離。
以往的多路復用器會增大存儲器信道的信號完整性負荷，這可能會影響運行速度。 IDT公司的高速多路復用器經(jīng)過專門設計可以減輕對于存儲器信道信號完整性影響，同時使DDR4 NVDIMM應用能夠在高達2133MT/s（每秒兆傳輸）以及更高的總線速率運行。
美光科技計算和網(wǎng)絡營銷副總裁Robert Feurle 介紹說：“美光科技致力于通過利用持久存儲器來顯著提高各種應用和系統(tǒng)的性能。我們的團隊一直與IDT公司緊密合作來開發(fā)一款全新的高速多路復用器，新的多路復用器將用于美光的DDR4 NVDIMM產(chǎn)品?！?/span>
該12位總線開關/多路復用器采用的是VFBGA 48引腳封裝，擁有小的占位面積，可替代NVDIMM應用中DIMM上的數(shù)據(jù)緩存。它設有一個先連后斷電路（make-before-break circuit），可避免開關時的毛刺。其AC和DC參數(shù)也針對DDR4進行了優(yōu)化，即使與其他類型的DIMM混用時也可確保最高的NVDIMMs存儲器信道性能。
IDT公司存儲器接口產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Rami Sethi 評論道：“在服務器和存儲系統(tǒng)中的持久主存儲器潛力正處于實現(xiàn)的非常早期階段。作為一個領先的DDR4 NVDIMM零部件供應商，IDT公司可提供包括NVDIMM寄存時鐘驅(qū)動器（RCD）、溫度傳感器和現(xiàn)在的多路復用器，我們已經(jīng)與美光科技等領先的公司努力合作，開發(fā)能夠在同構(gòu)和異構(gòu)存儲器信道范疇內(nèi)都可提供同類最佳性能的解決方案?！?/span>
Integrated Device Technology, Inc., develops system-level solutions that optimize its customers’ applications. IDT uses its market leadership in timing, serial switching and interfaces, and adds analog and system expertise to provide complete application-optimized, mixed-signal solutions for the communications, computing and consumer segments. Headquartered in San Jose, Calif., IDT has design, manufacturing, sales facilities and distribution partners throughout the world. IDT stock is traded on the NASDAQ Global Select Stock Market? under the symbol “IDTI.” Additional information about IDT is accessible at www.IDT.com. Follow IDT on Facebook, LinkedIn, Twitter, YouTube andGoogle+.