日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面積為2mm x 2mm，具有業(yè)內(nèi)最高的封裝限制電流，可使便攜式電子產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和可靠性。它同時(shí)也是業(yè)內(nèi)唯一具有±20V的額定VGS，提供集成ESD保護(hù)功能的此類器件。

SiA466EDJ的25A封裝限制電流比最接近的器件高13%。在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用里，高額定電流為大涌入電流和短路等故障情況提供了額外的安全裕量。MOSFET集成ESD保護(hù)功能，保護(hù)能力達(dá)到2500V，能防止因觸摸或人體接觸而導(dǎo)致的靜電破壞。

今天推出的器件是多用途的電源管理解決方案，可用于便攜式電子產(chǎn)品。器件具有大電流和出色的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)，適用于無(wú)線和快速電池充電器、智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和電子鎖里面的同步降壓轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)關(guān)。

為提高高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用里的效率，SiA466EDJ在10V、6V和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別為9.5 mΩ、11.1mΩ和13.0mΩ，可減少導(dǎo)通損耗，典型柵極電荷為6.3nC，柵極電阻為0.9Ω，使開(kāi)關(guān)損耗最小化。MOSFET經(jīng)過(guò)了100%的RG測(cè)試，符合RoHS，無(wú)鹵素。

SiA466EDJ現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。

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Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無(wú)源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。