就在ISSCC（International Solid State Circuit  Conference）國際固態(tài)電路會議上，三星的舉動令業(yè)界感到驚訝，全球首次展示了10nm FinFET  半導(dǎo)體制程。當時業(yè)內(nèi)人士紛紛表示，三星有望搶在英特爾之前造出全球第一款 10nm 工藝用于移動平臺的處理器。

　　實際上，作為韓國高科技巨頭，三星在半導(dǎo)體制造方面已經(jīng)非常超前，目前僅有三星一家可以正式大規(guī)模量產(chǎn) 14nm FinFET  工藝的移動設(shè)備芯片，而此前在工藝方面極有優(yōu)勢的英特爾卻一推再推。雖然在芯片領(lǐng)域，三星在業(yè)務(wù)方面尚未上升到高通或者英特爾的高度，但三星的芯片發(fā)展可謂神速，迎來的是對統(tǒng)治級競爭對手的直接挑戰(zhàn)。

　　不過，如果你認為三星首秀 10nm FinFET 工藝制程已經(jīng)夠驚艷全場的話，那么三星在 ISSCC 會議上的主題演講可能更令人意外。

　　三星：5nm芯片對我們而言完全沒有問題

　　據(jù)三星的發(fā)言，該公司還將繼續(xù)推進至 5nm工藝制程，因為他們認為“根本沒有困難”，而且進一步微細化也有可能很快實現(xiàn)。

　　該韓國巨頭甚至表示，他們已經(jīng)確認開始 3.2nm FinFET 工藝的工作，通過所謂的 EUV  遠紫外光刻技術(shù)和四次圖形曝光技術(shù)和獨家相關(guān)途徑，可以實現(xiàn)工藝更細微化?；旧先堑难葜v內(nèi)容非常令人費解，完全沒有真正表述究竟使用何種新材料制造這些更小納米工藝的芯片。英特爾已經(jīng)表示  10nm 之后的半導(dǎo)體制造會更復(fù)雜，再發(fā)展下去硅原子的物理極限很難突破，不排除三星的新材料解決方案是砷化銦鎵（Indium Gallium  Arsenide，InGaAs）。

　　讓我們回到 10nm 工藝，三星稱下一代芯片尺寸將更微小，功耗更低。未來此工藝也將運用到 DRAM 和 3D V-NAND  芯片上，三星不會放棄任何在移動領(lǐng)域做儲存霸主的機會。三星表示，在 2016 或 2017 年之前暫時不會有 10nm 工藝。也就是說，首款采用 14nm  芯片的智能手機 Galaxy S6，在先進工藝方面的優(yōu)勢可能會維持兩年。

　　當然，我們不排除下下一代旗艦智能手機，也就是 Galaxy S7，三星又驚人的為其搭載 10nm 工藝的處理器。