??? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為尖端技術(shù)及高附加價(jià)值產(chǎn)業(yè)對(duì)其他產(chǎn)業(yè)的影響極大，是在整個(gè)國(guó)民經(jīng)濟(jì)中具有巨大戰(zhàn)略意義的關(guān)鍵性技術(shù)產(chǎn)業(yè)，因此世界各國(guó)政府都將其視為國(guó)家的骨干產(chǎn)業(yè)。一國(guó)想走在世界經(jīng)濟(jì)的前列或是為了保衛(wèi)國(guó)家安全,都必須要進(jìn)入這個(gè)耗資巨大而又發(fā)展極為迅速的技術(shù)領(lǐng)域?！　?/P>

??? 在其中，政府干預(yù)的影子在世界各國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中隨處可見(jiàn)。無(wú)論是半導(dǎo)體產(chǎn)品" title="半導(dǎo)體產(chǎn)品">半導(dǎo)體產(chǎn)品的研究開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)制造，或是與他國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品的貿(mào)易，政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都具有深遠(yuǎn)的影響。
　　各發(fā)達(dá)國(guó)家的產(chǎn)業(yè)政策比較
　　1.美國(guó) 美國(guó)是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)源地.半導(dǎo)體發(fā)展的原始目的主要在于支持國(guó)防業(yè)和宇航業(yè)，確保美國(guó)國(guó)防部能獲得最先進(jìn)的武器系統(tǒng)和宇航局擁有最精密的操作控制設(shè)備。由于這兩個(gè)行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)品的主要需求者，從而決定了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的最初方向和性質(zhì)。事實(shí)表明，美國(guó)國(guó)防部的采購(gòu)對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體業(yè)" title="半導(dǎo)體業(yè)">半導(dǎo)體業(yè)的早期發(fā)展具有決定性的影響，為其后來(lái)長(zhǎng)期處于世界領(lǐng)先地位奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。但20世紀(jì)80年代美國(guó)作為半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)商在全球的位次大幅度下降，這樣的衰退被很多美國(guó)人認(rèn)為是對(duì)國(guó)家軍事安全和經(jīng)濟(jì)的嚴(yán)重威脅，不少人將其歸咎于美國(guó)政府微電子產(chǎn)業(yè)的政策方向。
　　為了應(yīng)對(duì)這種狀況，除美國(guó)政府繼續(xù)以巨大的國(guó)防支出來(lái)資助半導(dǎo)體業(yè)的研發(fā)外，1987年美國(guó)半導(dǎo)體協(xié)會(huì)成立。美國(guó)政府亦在貿(mào)易領(lǐng)域出臺(tái)了一系列政策以支持其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，如1986年美國(guó)政府與日本簽定了《半導(dǎo)體協(xié)定》，原因是美國(guó)宣稱(chēng)日本生產(chǎn)商以超低價(jià)格向美國(guó)傾銷(xiāo)芯片并限制美商進(jìn)入日本國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。雙方最初簽定的公約于1991年到期后，美國(guó)政府又就該協(xié)定在下＿個(gè)五年中的實(shí)施問(wèn)題與日本政府磋商。而這次談判的重點(diǎn)則是要求日本市場(chǎng)對(duì)美國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商" title="半導(dǎo)體生產(chǎn)商">半導(dǎo)體生產(chǎn)商敞開(kāi)大門(mén)。然而必須指出的是美國(guó)政府因從國(guó)防安全角度出發(fā)一直嚴(yán)格控制其尖端核心半導(dǎo)體設(shè)備的出口。然而隨著時(shí)代的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛滲透性所造成的日益擴(kuò)大的國(guó)際市場(chǎng)不是由哪幾家企業(yè)或哪幾個(gè)國(guó)家可以全部壟斷的。美國(guó)政府較為嚴(yán)格的出口限制勢(shì)必影響到美國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)商在國(guó)際市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)力。
　　2.日本 在日本，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的重心是半導(dǎo)體在工業(yè)和消費(fèi)領(lǐng)域中的應(yīng)用。在日本半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展中，為全面扭轉(zhuǎn)最初其技術(shù)依附于歐美的弱勢(shì)地位, 日本的MITI發(fā)揮了強(qiáng)大的引導(dǎo)作用，為日本半導(dǎo)體企業(yè)的有序競(jìng)爭(zhēng)構(gòu)建了有效框架。分析其政策沿革，演變過(guò)程大體上經(jīng)歷了以下幾個(gè)階段。﹁是《電子工業(yè)振興臨時(shí)措施法》（簡(jiǎn)稱(chēng)"電振法"）于1957年制定。其頒布實(shí)施有效地促進(jìn)了日本企業(yè)在學(xué)習(xí)美國(guó)先進(jìn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，積極發(fā)展本國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。二是《特定電子工業(yè)及特定機(jī)械工業(yè)振興臨時(shí)措施法》于1971年制定。該法進(jìn)一步秉承了"電振法"的宗旨，強(qiáng)化了發(fā)展以半導(dǎo)體為代表的電子產(chǎn)業(yè)的力度。該法的實(shí)施成功地幫助日本企業(yè)通過(guò)加強(qiáng)自身研發(fā)、生產(chǎn)能力，有效地抵御了歐美半導(dǎo)體廠商的沖擊，進(jìn)而使日本半導(dǎo)體制品不斷走向世界。三是《特定機(jī)械情報(bào)產(chǎn)業(yè)振興臨時(shí)措施法》在1978年制定（于1985年失效）。該法進(jìn)一步加強(qiáng)了以半導(dǎo)體為核心的信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。上述三部專(zhuān)業(yè)法規(guī)在總體上加強(qiáng)了日本企業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力。此后日本沒(méi)有頒布針對(duì)以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的電子、信息產(chǎn)業(yè)的專(zhuān)門(mén)法規(guī)，而是改為通過(guò)綜合性法規(guī)在整體上推動(dòng)包含半導(dǎo)體在內(nèi)的高新技術(shù)的發(fā)展，其中較為重要的是于1995年出臺(tái)的《科學(xué)技術(shù)基本法》。
　　MITI還通過(guò)限制外商在日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資和要求通過(guò)直接購(gòu)買(mǎi)方式來(lái)獲取技術(shù)從而避免了日本在技術(shù)上受到他國(guó)的控制和支配。直到20世紀(jì)70年代末，日本政府一直奉行著嚴(yán)厲的產(chǎn)業(yè)保護(hù)政策，包括進(jìn)行嚴(yán)格的進(jìn)口管制。對(duì)于外國(guó)企業(yè)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的對(duì)日投資，日本政府也一直采取嚴(yán)格的審批制度，并附以禁止設(shè)立獨(dú)資企業(yè)、外國(guó)企業(yè)的所有專(zhuān)利技術(shù)需向合資公司公開(kāi)等苛刻條件，而這些措施直到1975年才被放寬。之后，日本政府的政策稍微有所放松，但日本在微電子競(jìng)爭(zhēng)中拔得頭籌的雄心壯志絲毫沒(méi)有減弱。非常明顯的一個(gè)例子就是由MITI提議的大規(guī)模綜合項(xiàng)目VLSI的實(shí)施。這個(gè)由日本政府出資40%的項(xiàng)目使日本五大半導(dǎo)體公司在一起通過(guò)合作共同研發(fā)更復(fù)雜先進(jìn)的新一代技術(shù)產(chǎn)品。另外,日本外貿(mào)組織JETO通過(guò)其在全球55個(gè)以上國(guó)家所設(shè)有的分支機(jī)構(gòu)為日本半導(dǎo)體生產(chǎn)商提供有關(guān)行業(yè)的最新資訊，有力的促進(jìn)了科技信息的溝通與傳播。同時(shí)在融資上，日本政府主要利用國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行為半導(dǎo)體企業(yè)提供低利貸款，使企業(yè)借貸利率接近于零，這與美國(guó)同時(shí)期市場(chǎng)利率4%-5%相比較，可謂是具有極大優(yōu)勢(shì)。
　　3.韓國(guó) 韓國(guó)相比美、日，韓國(guó)政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的參與力度似乎更大了一些。韓國(guó)政府通過(guò)多種渠道去培養(yǎng)和促使韓國(guó)大企業(yè)進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。1976年政府成立了韓國(guó)電子技術(shù)學(xué)院（KIET），其主要職責(zé)是“計(jì)劃與協(xié)調(diào)半導(dǎo)體R&D、進(jìn)口、吸收和傳播國(guó)外技術(shù)，為韓國(guó)企業(yè)提供技術(shù)支持，進(jìn)行市場(chǎng)調(diào)研”。1982年，“長(zhǎng)期半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)促進(jìn)計(jì)劃”宣告啟動(dòng)，韓國(guó)政府為四大主要半導(dǎo)體企業(yè)提供了大量的財(cái)政、稅收優(yōu)惠。1986年，韓國(guó)政府制訂了半導(dǎo)體信息技術(shù)開(kāi)發(fā)方向的投資計(jì)劃，每年向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資近億美元?！罢呓?jīng)濟(jì)”的結(jié)果是韓國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展相當(dāng)令人鼓舞。在歐、美地區(qū)雙雙衰退的情況下，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2002年產(chǎn)值反而從95.8億美元增至112億美元，同比增長(zhǎng)了17％。眾所周知，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高度集中于記憶體領(lǐng)域，由于經(jīng)營(yíng)記憶體的財(cái)團(tuán)背后有著政府力量的強(qiáng)力支撐，因此雖然目前市場(chǎng)在供給過(guò)剩的壓力下利潤(rùn)已漸趨稀薄，但三星、南亞科技等韓國(guó)企業(yè)憑借其規(guī)模效益，仍成為全球少數(shù)獲利的記憶體廠商。
　　4.歐洲 歐洲繼美國(guó)和亞洲之后，第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地當(dāng)數(shù)歐洲。西歐的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的演變可大致分為三個(gè)階段：第一階段是1965年前，除政府對(duì)與國(guó)防相關(guān)的R&D進(jìn)行投資和在政府采購(gòu)中偏向于本國(guó)生產(chǎn)商外，基本上不存在政府對(duì)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的干預(yù)行為；第二階段，1965年至1975年，歐洲政府非常重視計(jì)算機(jī)行業(yè)，對(duì)半導(dǎo)體的科研給予了一些激勵(lì)措施，但政府的參與仍有相當(dāng)?shù)木窒扌?；第三階段，自1975年之后，歐洲各國(guó)政府逐漸加大了對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度，政策重心更集中于信息技術(shù)包括微電子方面。進(jìn)入80年代后，歐洲各國(guó)政府積極推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)企業(yè)的合作與發(fā)展，例如ESPRIT和JESSI項(xiàng)目。其中,后者耗資4億美元，主要致力于開(kāi)發(fā)先進(jìn)的微芯片技術(shù)。此外,西歐各國(guó)政府還聯(lián)合向非歐洲的半導(dǎo)體制造商施壓，要求他們不能僅僅是在歐洲進(jìn)行加工組裝業(yè)務(wù)，而是更多的設(shè)立設(shè)計(jì)與技術(shù)部門(mén)。其目標(biāo)則是希望通過(guò)一系列措施，能加速歐洲半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新，鼓勵(lì)歐洲內(nèi)部各國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)間的交流與聯(lián)系，從而在一定程度上保護(hù)歐洲本土的半導(dǎo)體核心技術(shù)以及生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)力。
　　歐盟委員會(huì)也進(jìn)一步加強(qiáng)了保護(hù)其半導(dǎo)體工業(yè)" title="半導(dǎo)體工業(yè)">半導(dǎo)體工業(yè)的力度。1990年歐盟與日本政府簽署了一個(gè)自愿協(xié)議，規(guī)定了日本生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器片在歐洲共同市場(chǎng)上的最低售價(jià)。此外，歐盟委員會(huì)還向韓國(guó)半導(dǎo)體商采取了反傾銷(xiāo)措施。原因是韓國(guó)傾銷(xiāo)的芯片價(jià)格大大低于歐盟的可接受價(jià)格。1997年，最低售價(jià)又被再次強(qiáng)加到日本和韓國(guó)的14個(gè)半導(dǎo)體芯片制造商身上。2003年歐盟在判定韓國(guó)政府不公平地向芯片廠商現(xiàn)代半導(dǎo)體公司提供補(bǔ)貼后隨即決定向現(xiàn)代半導(dǎo)體公司的內(nèi)存芯片征收34.8%的進(jìn)口關(guān)稅。
　　對(duì)我國(guó)" title="我國(guó)">我國(guó)的啟示與我國(guó)的對(duì)策措施
　　從上文中我們可以看出,無(wú)論是美國(guó)、歐洲還是日本、韓國(guó)，沒(méi)有一個(gè)國(guó)家的政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展采取放任政策，而是通過(guò)一系列政策手段進(jìn)行扶植。即使是同一國(guó)家，政府在半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的各個(gè)時(shí)期都制訂了不同的策略。我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總體水平與這些發(fā)達(dá)國(guó)家比較，在生產(chǎn)能力、設(shè)備水平、開(kāi)發(fā)手段、工藝水平、產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)、市場(chǎng)開(kāi)拓等方面均存在很大差距。中國(guó)本土芯片制造企業(yè)目前只能滿(mǎn)足芯片市場(chǎng)大約20%的需求量，而其他近80%的需求都不得不通過(guò)進(jìn)口產(chǎn)品來(lái)補(bǔ)充。與此同時(shí)，中國(guó)所有半導(dǎo)體企業(yè)的總銷(xiāo)售額僅占世界半導(dǎo)體總銷(xiāo)售的1.5%。因而我國(guó)應(yīng)通過(guò)借鑒美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家以及韓國(guó)、歐洲的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，并結(jié)合中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)現(xiàn)階段發(fā)展現(xiàn)狀，明確在半導(dǎo)體領(lǐng)域的定位和戰(zhàn)略，并相應(yīng)的改進(jìn)或調(diào)整該產(chǎn)業(yè)的政府管理模式和政策體系，以更好的促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，提升我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。為此，我國(guó)政府還應(yīng)在政策層面上進(jìn)行進(jìn)一步的深化改革。
　　1．中國(guó)應(yīng)采取更加優(yōu)惠的政策，形成良好的投資環(huán)境吸引外資更多投入到中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
　　美國(guó)、日本及韓國(guó)都是依靠?jī)?yōu)惠的政策引導(dǎo)投資方向，使大量的資金涌入到半導(dǎo)體高技術(shù)領(lǐng)域，以加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)向知識(shí)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)變的步伐。我國(guó)目前也采取了一系列優(yōu)惠性措施，比如2000年國(guó)務(wù)院頒布的《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》中規(guī)定，如果投資建立一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，國(guó)家要跟進(jìn)投資，如果申請(qǐng)銀行貸款，國(guó)家將補(bǔ)貼1%到5%的利率。我國(guó)應(yīng)制訂比其他國(guó)家更具吸引力的政策，從而吸引更多投資和技術(shù)進(jìn)入這一國(guó)家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，例如要學(xué)習(xí)韓國(guó)充分利用入世3到5年的緩沖期保護(hù)幼稚產(chǎn)業(yè)的合理辦法，對(duì)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體產(chǎn)品在WTO框架內(nèi)給予更多的優(yōu)惠鼓勵(lì)政策。
　　2．在短期內(nèi)，可以借鑒走引進(jìn)、消化、吸收、趕超的路子，重點(diǎn)發(fā)展市場(chǎng)需求大的半導(dǎo)體適用技術(shù)和產(chǎn)品，通過(guò)技術(shù)改造、資本積累和市場(chǎng)開(kāi)拓的互動(dòng)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水平的滾動(dòng)發(fā)展。
　　在引進(jìn)投資時(shí)，要注意選準(zhǔn)市場(chǎng)主體產(chǎn)品，引導(dǎo)企業(yè)進(jìn)入高附加值市場(chǎng)。但從長(zhǎng)期來(lái)看，我們應(yīng)借鑒日本半導(dǎo)體企業(yè)奉行的自行設(shè)計(jì)、自行生產(chǎn)的原則，建立起設(shè)計(jì)與生產(chǎn)“一條龍”的行業(yè)體系，以官方為主導(dǎo)共同聯(lián)合生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展戰(zhàn)略，開(kāi)發(fā)更多關(guān)鍵技術(shù)，增加擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)半導(dǎo)體產(chǎn)品的比例。當(dāng)然如果大企業(yè)技術(shù)合作的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)商品，這樣做由于利益沖突難獲成功。要學(xué)習(xí)美國(guó)、日本，先合作研究開(kāi)發(fā)技術(shù)，大企業(yè)自己再搞商品化，合作開(kāi)發(fā)才可能成功。除了大公司間進(jìn)行技術(shù)密切合作外，還可以參考美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)主要由技術(shù)密集型中小企業(yè)構(gòu)成的特點(diǎn)，積極鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)的民營(yíng)企業(yè)和民營(yíng)資本參與到半導(dǎo)體工業(yè)相關(guān)材料與設(shè)備研究制造上來(lái)。這是由芯片制造過(guò)程對(duì)設(shè)備、材料要求的多樣性、復(fù)雜性以及產(chǎn)品快速更新的特點(diǎn)所決定的。
　　3．很多半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士一談及發(fā)展半導(dǎo)體的關(guān)鍵因素時(shí)，不約而同的認(rèn)為是人才。
　　目前我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最缺乏的就是人才，既包括技術(shù)人員，也包括半導(dǎo)體企業(yè)有經(jīng)驗(yàn)的中高階主管。我們應(yīng)學(xué)習(xí)馬來(lái)西亞等東南亞國(guó)家的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，制定高工資、低（零）個(gè)人所得稅的人才吸引政策，吸引海外半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、制造、管理專(zhuān)家來(lái)華工作。對(duì)少數(shù)高科技設(shè)計(jì)人員和工藝技術(shù)人員采取高薪聘任，甚至給予更優(yōu)惠的待遇，比如可持有企業(yè)股份等。同時(shí)決不可忽視對(duì)技術(shù)人才的培養(yǎng)，為基層作業(yè)員、技工、工程師提供較好的專(zhuān)業(yè)素質(zhì)培訓(xùn)，這對(duì)一個(gè)以生產(chǎn)為導(dǎo)向的半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō)也是至關(guān)重要的。
　　4．加入國(guó)際聯(lián)盟是解決資金、人才和技術(shù)不足的有力途徑，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢(shì)。
　　我們應(yīng)該利用外商看好中國(guó)市場(chǎng)的時(shí)機(jī)，采取多種形式加入國(guó)際半導(dǎo)體聯(lián)盟。應(yīng)該加強(qiáng)與國(guó)外同行的聯(lián)系，爭(zhēng)取通過(guò)一些項(xiàng)目在中國(guó)落戶(hù)，快速地提高我們的技術(shù)水平，創(chuàng)造雙贏的局面；積極參與真正的國(guó)際分工與合作，抓住國(guó)際產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移機(jī)會(huì)，擴(kuò)大利用國(guó)際投資的能力，全面提高中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)素質(zhì)。