飛思卡爾" title="飛思卡爾">飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率" title="射頻功率">射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。?

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這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界最具創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極" title="雙極">雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等離子體發(fā)生器和其他系統(tǒng)所需的功率。?

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以空前的功率水平實現高增益，這大大減少了所需的部件數量，與傳統(tǒng)設計相比，部件數量減少了70%。部件數量的大幅減少，使主板空間要求和制造復雜性隨之降低，最終使放大器成本全面降低。 ?

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飛思卡爾副總裁兼射頻部總經理Gavin P. Woods表示：“MRF6VP11KH的推出，在效率、輸出功率、可靠性和設計集成的便利性等各方面設定了新的行業(yè)基準。任何其他射頻功率設備（包括LDMOS、MOSFET和雙極）都無法實現這樣的性能。我們將繼續(xù)針對這類市場推出創(chuàng)新設備，讓我們的客戶能夠攻克系統(tǒng)性能的新障礙。”?

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這種晶體管在10-150 MHz之間運行。它采用飛思卡爾第六代高電壓 (VHV6) LDMOS（橫向擴散金屬氧化物晶體管)技術，是飛思卡爾承諾向工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界最新射頻功率解決方案的最新例證。該產品組合2006年6月公布的業(yè)界領先的50V VHV6 LDMOS設備系列，能夠滿足在頻率高達450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM應用所需的要求。?

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ABI Research半導體研究主任Lance Wilson表示： “飛思卡爾憑借50V LDMOS已經突破RF 1 kW脈沖功率級別。MRF6VP11KH的高增益、高效率、低熱阻和高輸出失配可存活性都給人留下了深刻印象。”?

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不僅僅是單純的功率?

MRF6VP11KH帶來的好處已經超越了它作為功能最強大的商用LDMOS RF晶體管的地位。MRF6VP11KH提供65%的排放功率，這對任何類型的射頻功率設備都具有很高的價值。再加上高于27 dB 的增益，這樣的效率水平能夠大大減少放大器設計的復雜性、增益進階、部件數量和電路板數量。? ?

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需要2 kW 脈沖輸出功率和45 dB增益的應用通常需要1個15 W的預驅動器、2個15 W的 驅動器和8個終端放大器，此時還要使用MOSFET或雙極設備，總共包括3個進階和11臺設備。但基于MRF6VP11KH的設計只需要3臺設備。1個10 W LDMOS驅動器和2個 MRF6VP11KH 終端放大器能夠產生同等的輸出功率和更高的50 dB增益。?

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此外，對于給定功率水平，MRF6VP11KH使用50V偏置電壓能夠產生更高終端阻抗，這讓設備更容易與放大器電路匹配。飛思卡爾符合RoHS的氣泡封裝熱阻測評低于0.13o C/W qJC，可提供有效的熱管理，并減少散熱片尺寸。MRF6VP11KH 帶有集成靜電放電 (ESD) 保護，因而除了在電子制造中看到的日常處理外，就不再需要特別的處理。?

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LDMOS技術?

MRF6VP11KH 連接飛思卡爾2006年推出的業(yè)界領先的50V VHV6 LDMOS 設備系列。已經投入生產的其它在10-450 MHz 運行的設備包括MRF6V2010N (10 W CW、24 dB增益和62%的效率)、MRF6V2150N (150 W CW、25 dB增益、68%的效率)和MRF6V2300N (300 W CW、25.5%和68%的效率)。?

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供貨情況?

飛思卡爾現在已經開始提供MRF6VP11KH樣品和支持的參考設計，批量生產將在2007年第四季度開始。如需了解定價信息，請聯系飛思卡爾半導體" title="飛思卡爾半導體">飛思卡爾半導體、本地飛思卡爾銷售辦事處或飛思卡爾授權經銷商。?

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關于飛思卡爾半導體?