全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝,具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng),以及電信設(shè)備等應(yīng)用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù),通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個(gè)全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ,從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計(jì)選擇。”
新器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),所采用的材料不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
器件編號(hào) |
BVDSS |
25°C下的最大Id |
10V下的 典型/ 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型/ 最大RDS(on) (mΩ) |
典型Qg |
IRLML9301TRPBF |
-30V |
3.6 A |
51 / 64 |
82 / 103 |
4.8 nC |
IRLML9303TRPBF |
-30V |
2.3 A |
135 / 165 |
220 / 270 |
2.0 nC |
IRLML0030TRPBF |
30V |
5.2 A |
22 / 27 |
33 / 40 |
2.6 nC |
IRLML2030TRPBF |
30V |
2.7 A |
80 / 100 |
123 / 154 |
1.0 nC |
IRLML0040TRPBF |
40V |
3.6 A |
44 / 56 |
62 / 78 |
2.6 nC |
IRLML0060TRPBF |
60V |
2.7 A |
78 / 92 |
98 / 116 |
2.5 nC |
IRLML2060TRPBF |
60V |
1.2 A |
356 / 460 |
475 / 620 |
0.4 nC |
IRLML0100TRPBF |
100V |
1.6 A |
178 / 220 |
190 / 235 |
2.5 nC |
新器件現(xiàn)正接受批量訂單,相關(guān)數(shù)據(jù)也已刊登于IR的網(wǎng)站 www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。