《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出SOT-23功率MOSFET產(chǎn)品系列支持-30V至100V的電壓

2010-07-21
作者:IR
關(guān)鍵詞: MOS|IGBT|元器件 MOSFET IR

  全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝,具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng),以及電信設(shè)備等應(yīng)用。
 
  新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù),通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。
 
  IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這個(gè)全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ,從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設(shè)計(jì)選擇。”
 
  新器件達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度 (MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn),所采用的材料不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
 
產(chǎn)品規(guī)格

器件編號(hào)

BVDSS

25°C下的最Id

10V下的

典型/ 最大RDS(on)

(mΩ)

4.5V下的

典型/ 最大RDS(on)

(mΩ)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6 A

51 / 64

82 / 103

4.8 nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3 A

135 / 165

220 / 270

2.0 nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2 A

22 / 27

33 / 40

2.6 nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7 A

80 / 100

123 / 154

1.0 nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6 A

44 / 56

62 / 78

2.6 nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7 A

78 / 92

98 / 116

2.5 nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2 A

356 / 460

475 / 620

0.4 nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6 A

178 / 220

190 / 235

2.5 nC

  新器件現(xiàn)正接受批量訂單,相關(guān)數(shù)據(jù)也已刊登于IR的網(wǎng)站 www.irf.com。
 
IR簡介
 
  國際整流器公司 (簡稱 IR,紐約證交所代號(hào) IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗 (電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ,是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
 
  IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國洛杉磯,在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國網(wǎng)站:www.irf.com.cn。

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