《電子技術應用》
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基于DDS+PLL高性能頻率合成器的設計與實現(xiàn)
摘要: 本文采用DDS和PLL相結合的方法,設計一個應用于(GSM 1 800 MHz系統(tǒng)中的頻率合成器,其中輸出頻帶為1 805~1 880 MHz,分辨率為200 kHz,相位噪聲為-80 dBc/Hz@1 kHz,頻率誤差為5 kHz,雜波抑制大于50 dB。
Abstract:
Key words :

      頻率合成器是決定電子系統(tǒng)性能的關鍵設備,隨著通信、數(shù)字電視、衛(wèi)星定位、航空航天、雷達和電子對抗等技術的發(fā)展,對頻率合成器提出了越來越高的要求。頻率合成理論自20世紀30年代提出以來,已取得了迅速的發(fā)展,逐漸形成了直接頻率合成技術、鎖相頻率合成技術、直接數(shù)字式頻率合成技術三種基本頻率合成方法。直接頻率合成技術原理簡單,易于實現(xiàn),頻率轉換時間短,但是頻率范圍受限,且輸出頻譜質(zhì)量差。鎖相頻率合成技術(PLL)具有輸出頻帶寬、工作頻率高、頻譜質(zhì)量好的優(yōu)點,但是頻率分辨率和頻率轉換速度卻很低。直接式數(shù)字頻率合成技術(DDS)的頻率分辨率高、頻率轉換時間快、頻率穩(wěn)定度高、相位噪聲低,但目前尚不能做到寬帶,頻譜純度也不如PLL。低相位噪聲、高純頻譜、高速捷變和高輸出頻段的頻率合成器已成為頻率合成發(fā)展的主要趨勢,傳統(tǒng)的單一合成方式很難兼顧上述各項性能指標,達到現(xiàn)代通信系統(tǒng)對頻率合成器的要求。本文采用DDS和PLL相結合的方法,設計一個應用于(GSM 1 800 MHz系統(tǒng)中的頻率合成器,其中輸出頻帶為1 805~1 880 MHz,分辨率為200 kHz,相位噪聲為-80 dBc/Hz@1 kHz,頻率誤差為5 kHz,雜波抑制大于50 dB。

 
  1 電路設計
  1.1 設計原理
  DDS直接激勵PLL的頻率合成技術,與單純的PLL技術相比,作為參考源的DDS具有很高的頻率分辨率,可以在不改變PLL分頻比的情況下,提高PLL的頻率分辨率,而且采用DDS激勵PLL設計方法的電路結構簡單,所用硬件少,通過合理設計環(huán)路濾波器可以較好地改善因PLL倍頻作用而惡化的相位噪聲。系統(tǒng)原理框圖如圖1所示。
  圖1中,fref是參考信號,一般由高穩(wěn)定度的晶體振蕩器產(chǎn)生,用于保證DDS各個部件的同步工作。fDDS取代原有的晶振作為鎖相環(huán)(PLL)的激勵源,其輸出fDDS頻率取決于頻率控制字K。頻率合成器的輸出由VCO提供,PLL芯片中電荷泵的輸出由低通濾波器(LPF2)產(chǎn)生,用于控制VCO的輸出頻率。DDS中K和PLL的分頻比可以通過單片機中的控制程序加以改變,從而實現(xiàn)頻率合成。
 
  VCO輸出信號頻率與DDS輸出信號頻率之間的關系為:
  式中:fref為DDS的時鐘頻率;K為DDS的頻率控制字;M為DDS相位累加器字長;fref/2M為DDS的頻率分辨率;△fmin為頻率合成器輸出信號的頻率分辨率。由此可見,以DDS為激勵源,只要相位累加器的字長取得足夠大,頻率合成器就能得到較高的頻率分辨率。
 
  1.2 電路實現(xiàn)
  如圖1給出的原理框圖所示,整個頻率合成器由DDS和PLL兩個功能模塊實現(xiàn)。
  1.2.1 DDS電路
  DDS電路如圖2所示,該電路由DDS、低通濾波器(LPF)和外部參考時鐘源組成。電路中的直接數(shù)字頻率合成器芯片AD9851是AD公司采用先進的DDS技術生產(chǎn)的高集成度DDS器件。它允許最高輸入時鐘180 MHz,同時提供可選擇的片內(nèi)6倍頻乘法器,內(nèi)置高性能的10 b數(shù)/模轉換器,內(nèi)含一個高速比較器。芯片具有簡單的控制接口,允許串/并行異步輸入控制字,采用32 b頻率控制字,內(nèi)部使用5 b相位調(diào)制字,外接參考時鐘源時,AD9851可以產(chǎn)生一個頻譜純凈、頻率和相位都可以控制,而且穩(wěn)定性非常高的正弦波。
  本文采用單片機C8051F021">C8051F021實現(xiàn)對AD9851數(shù)據(jù)控制,改變AD9851內(nèi)部編程控制寄存器所選的操作模式、相位累加器的位數(shù)、頻率控制字,可實現(xiàn)各種不同頻率信號的輸出。外部參考時鐘源選用30 MHz無源晶振,DDS輸出信號的頻率最高可達72 MHz。外部的低通濾波器用來濾除高頻雜散和諧波。
  DDS有一個很明顯的缺點,輸出頻率越接近Nyquist帶寬的高度,采樣點數(shù)越少,其輸出的雜散干擾也就越大。因此,必須在DDS芯片的正弦信號輸出端加一個濾波器,以便有效地抑制諧波和雜散。本設計中采用七階橢圓低通濾波器,該濾波器電路如圖2虛線框內(nèi)所示,其中R5,R6完成電流信號到電壓信號的轉換,其截止頻率可達70 MHz。圖3給出該七階橢圓低通濾波器的正向傳輸特性,70 MHz截止頻率衰減為-2.907 dB,帶外衰減在84 MHz達到-35.749 dB,基本符合設計要求。
  1.2.2 PLL電路
 
  PLL電路如圖4所示,該電路由性價比很高的鎖相芯片ADF4113、濾波電路、VC0構成。設計中采用DDS輸出取代原有的晶振,為GSM系統(tǒng)提供13 MHz的激勵源,信道頻率間隔為200 kHz,基準輸入需經(jīng)ADF4113中的基準分頻器完成65分頻。
 ADF4113是ADI公司研制的數(shù)字鎖相頻率合成器,最高工作頻率可達4 GHz,可用于無線射頻通信系統(tǒng)的基站、手機、通信檢測設備及CATV設備中。該芯片內(nèi)部主要包括可編程的14位基準分頻器;可編程雙模式前置分頻器:8/9,16/17,32/33和64/65;可編程的射頻信號分頻器;3線串行總線接口;模擬和數(shù)字鎖定狀態(tài)檢測功能。該芯片具有良好的相位噪聲參數(shù),鑒相頻率為200 kHz時,相噪基底為-164 dBc/Hz;輸出1 840 MHz時,相噪可達-85 dBc/Hz。VCO選用Sirenza微波公司的VC0190-1843T,輸出頻率范圍為1 740~1 930 MHz,具有良好的相位噪聲特性,其獨特的緩沖放大器設計,可減小頻率漂移。
  環(huán)路濾波器對頻率合成器的性能有十分重要的影響,環(huán)路濾波器決定頻率合成器的雜散抑制、相位噪聲、環(huán)路穩(wěn)定性以及捷變時間等重要參數(shù)。由于本設計采用ADF4113電流型電荷泵鑒相器,因此環(huán)路濾波器采用無源方式。鑒于本系統(tǒng)對跳頻的切換時間要求不是很高,因此可以適當降低環(huán)路帶寬,以確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。降低環(huán)路帶寬還有助于濾除參考信號中的諧波成分。但環(huán)路帶寬太小會增加建立時間和帶內(nèi)VCO相位噪聲,由于帶內(nèi)噪聲主要取決于參考信號引入的噪聲,VC0相位噪聲不是主要因素。該系統(tǒng)設計成三階無源濾波器構成的四階環(huán)路。圖4虛線框給出三階無源環(huán)路濾波器電路,根據(jù)系統(tǒng)對相位噪聲和頻率轉換時間的要求,取環(huán)路帶寬ωc=15 kHz,相位裕度為φ=45°。
 
  2 電路仿真
 
  采用ADISimPLL軟件對該方案進行了仿真分析,圖5給出仿真結果??梢钥闯?,該頻率合成器的相位噪聲為-84.63 dBc/
 
 
  3 結果分析
 
  系統(tǒng)采用DDS直接激勵PLL的設計方案,充分利用了DDS小步進、頻率捷變快及PLL頻帶寬,工作頻率高,頻譜純度高的優(yōu)點,研制出滿足GSM l 800 MHz系統(tǒng)指標要求的頻率合成器。相位噪聲的測量如圖6所示,為-83.75 dBc/
 
  4 結語
 
  采用DDS激勵PLL的頻率合成技術,克服了寬帶系統(tǒng)中DDS輸出頻率較低和PLL頻率分辨率低的缺點。通過合理設計環(huán)路低通濾波器、相位噪聲、環(huán)路穩(wěn)定性等性能得到提高,并對電源采取濾波措施,以改善雜波抑制,最終設計出高性能頻率合成器。
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