2010年5月24日,德州奧斯汀訊-飛思卡爾半導(dǎo)體日前推出一款RF LDMOS功率管,工作頻率為1.8至600 MHz ,最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像(MRI)掃描儀等應(yīng)用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶體管,在電壓駐波比(VSWR)為65:1的負載中提供 300 W CW的全額定輸出功率。
當射頻功率管生成的最大功率到達天線時,所有固態(tài)射頻功率放大器的運行最有效。在理想條件下,這會產(chǎn)生1:1的VSWR,生成的全部額定功率都通過傳輸線到達負載,沒有任何額定功率反射回放大器。大部分應(yīng)用的VSWR水平很少超過2.5:1,而大部分RF功率管無論其采取什么技術(shù),都可以處理5:1或10:1的VSWR。
但是,RF功率放大器用來點燃CO2 激光器和離子發(fā)生器或在MRI系統(tǒng)里生成電磁場,都會短暫出現(xiàn)生成的額定功率幾乎全部被反射回放大器的情況。這些異常情況給大部分RF功率管帶來了難題。
飛思卡爾新推出的MRFE6VP6300H產(chǎn)品主要針對這類應(yīng)用,能夠?qū)?00W滿CW輸出功率生成高達 65:1的VSWR。它是這個性能級別里唯一商用的50 V LDMOS晶體管產(chǎn)品。
飛思卡爾副總裁兼RF部門總經(jīng)理 Gavin Woods表示,“這一重要技術(shù)成果又一次顯示了飛思卡爾在RF功率市場始終保持行業(yè)第一的記錄。有了這款新晶體管,CO2激光器、等離子體發(fā)生器、磁共振成像掃描儀和其他工業(yè)設(shè)備的制造商可以獲得前所未有的穩(wěn)定性和射頻功率性能。”
MRFE6VP6300H可用于推拉式或單端配置,并放置在緊湊型NI780 - 4陶瓷封裝中。頻率為130兆赫時,該設(shè)備生成300W的CW輸出功率,增益為25分貝,效率達80%。該MRFE6VP6300H還包含創(chuàng)新的靜電放電(ESD)保護技術(shù),這不僅使它成為第三類功率器件,還支持大的柵源電壓范圍(-6V至+10 V),因而在高效模式(如C類)下運行時能提高性能。
定價和供貨情況
MRFE6VP6300H現(xiàn)已推出樣品,計劃將于2010年第四季度全面投產(chǎn)。它的參考設(shè)計及其他支持工具現(xiàn)已上市。如需了解樣品和定價信息,請與飛思卡爾半導(dǎo)體、飛思卡爾本地銷售辦事處或授權(quán)分銷商聯(lián)系。有關(guān)MRFE6VP6300H的更多信息,請訪問:freescale.com">www.freescale.com / rfindustrial
關(guān)于飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為汽車、消費、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)市場設(shè)計并制造嵌入式半導(dǎo)體產(chǎn)品。這家私營企業(yè)總部位于德州奧斯汀,在全球擁有設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售機構(gòu)。如需了解其它信息,請訪問www.freescale.com.