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東芝攜手海力士 研發(fā)納米壓印技術

2015-02-09

    全球第2大NAND型快閃存儲器廠商東芝近日發(fā)布新聞稿宣布,為加快次世代半導體露光技術“納米壓印技術”的研發(fā)腳步,已和南韓半導體大廠SK海力士正式簽署契約,雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關鍵技術,目標為在2017年實用化。

  東芝于去年12月和SK海力士就NAND Flash侵權案一事達成和解,海力士除同意支付東芝2.78億美元(約330億日圓)和解金外,雙方當時也宣布將攜手研發(fā)被稱為“納米壓印”的次世代半導體露光技術。

  據(jù)日經(jīng)新聞指出,東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品,而就現(xiàn)行技術來看,15nm被視為是存儲器電路線幅細微化的極限,而東芝期望借由研發(fā)NIL技術、突破細微化極限,讓已逼近極限的電路線幅能進一步細微化,以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。

  日經(jīng)指出,東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設備,而東芝和SK海力士于NIL制程技術的研發(fā)成果也將回饋至制造設備的研發(fā)上。

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