三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲(chǔ)器市場(chǎng)70%以上獲利，加速研發(fā)新技術(shù)與擴(kuò)大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨(dú)霸而聯(lián)手，但技術(shù)力差距牽制不易。同時(shí)，因智能型手機(jī)事業(yè)陷低潮的三星，能否借存儲(chǔ)器事業(yè)翻身成為焦點(diǎn)。

　　據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，三星為搶占2015年存儲(chǔ)器半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計(jì)DRAM與NAND Flash的整體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體營(yíng)收規(guī)模預(yù)估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。

　　更多以業(yè)界平均營(yíng)益率25%計(jì)算，營(yíng)業(yè)利益約在20兆韓元~23兆韓元。三星電子若想占有70%獲利，等于每一季營(yíng)利達(dá)3.5兆~4兆韓元就可達(dá)成。

　　韓國(guó)證券業(yè)業(yè)預(yù)期，三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部2015年每季營(yíng)利在3兆韓元以上，只要業(yè)績(jī)比市場(chǎng)預(yù)期稍微提高，就相當(dāng)有可能達(dá)成目標(biāo)。

　　三星存儲(chǔ)器技術(shù)目前仍處于領(lǐng)先地位，DRAM部分以競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者尚未開(kāi)發(fā)的20納米制程技術(shù)為基礎(chǔ)，成功量產(chǎn)8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移動(dòng)裝置用等所有類型產(chǎn)品。此外，三星也率先研發(fā)出V NAND制程TLC產(chǎn)品，也讓初期未能量產(chǎn)的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者更加緊張。

　　三星為了延續(xù)獲利，也加速擴(kuò)大產(chǎn)量。隨著采用V-NAND的SSD市場(chǎng)急速成長(zhǎng)，2014年三星又在大陸西安NAND Flash廠追加投資1兆韓元擴(kuò)充設(shè)備以便增產(chǎn)。而為因應(yīng)Mobile DRAM需求激增，之前在韓國(guó)華城廠建立的系統(tǒng)半導(dǎo)體專用17號(hào)產(chǎn)線，也決定部份轉(zhuǎn)換為DRAM生產(chǎn)線。

　　為因應(yīng)三星的閃電攻勢(shì)，SK海力士與東芝決定結(jié)束專利訴訟組成聯(lián)合陣線。東芝撤銷以SK海力士為對(duì)象的1.1兆韓元規(guī)模專利損害賠償告訴，并為了克服微細(xì)制程的界限，攜手開(kāi)發(fā)納米壓印(NIL)等下一代技術(shù)。

　　SK海力士相關(guān)人士表示，透過(guò)這次擴(kuò)大合作，可望強(qiáng)化技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力，并消除潛在的經(jīng)營(yíng)不確定性。有助于二家公司競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

　 　然而，這次結(jié)盟能否有具體成果仍是未知數(shù)。以NAND Flash市場(chǎng)強(qiáng)者東芝的立場(chǎng)，SK海力士跟三星電子同為不可小覷的對(duì)手。SK海力士近幾年擴(kuò)大 NAND Flash相關(guān)投資，并將市占率拉高到10%。由于三星技術(shù)力大幅超前，東芝與SK海力士相互間競(jìng)爭(zhēng)恐怕會(huì)更加激烈。