三星電子(Samsung Electronics)為取得存儲器市場70%以上獲利，加速研發(fā)新技術(shù)與擴大產(chǎn)量。SK海力士(SK Hynix)與東芝(Toshiba)為抵擋三星獨霸而聯(lián)手，但技術(shù)力差距牽制不易。同時，因智能型手機事業(yè)陷低潮的三星，能否借存儲器事業(yè)翻身成為焦點。

　　據(jù)韓媒E-Daily報導，三星為搶占2015年存儲器半導體市場營業(yè)利益的70%正研擬策略。2015年合計DRAM與NAND Flash的整體存儲器半導體營收規(guī)模預(yù)估為80兆~90兆韓元(約728億~815億美元)。

　　更多以業(yè)界平均營益率25%計算，營業(yè)利益約在20兆韓元~23兆韓元。三星電子若想占有70%獲利，等于每一季營利達3.5兆~4兆韓元就可達成。

　　韓國證券業(yè)業(yè)預(yù)期，三星電子存儲器事業(yè)部2015年每季營利在3兆韓元以上，只要業(yè)績比市場預(yù)期稍微提高，就相當有可能達成目標。

　　三星存儲器技術(shù)目前仍處于領(lǐng)先地位，DRAM部分以競爭業(yè)者尚未開發(fā)的20納米制程技術(shù)為基礎(chǔ)，成功量產(chǎn)8GB LPDDR4芯片，并推出伺服器用、PC用及移動裝置用等所有類型產(chǎn)品。此外，三星也率先研發(fā)出V NAND制程TLC產(chǎn)品，也讓初期未能量產(chǎn)的競爭業(yè)者更加緊張。

　　三星為了延續(xù)獲利，也加速擴大產(chǎn)量。隨著采用V-NAND的SSD市場急速成長，2014年三星又在大陸西安NAND Flash廠追加投資1兆韓元擴充設(shè)備以便增產(chǎn)。而為因應(yīng)Mobile DRAM需求激增，之前在韓國華城廠建立的系統(tǒng)半導體專用17號產(chǎn)線，也決定部份轉(zhuǎn)換為DRAM生產(chǎn)線。

　　為因應(yīng)三星的閃電攻勢，SK海力士與東芝決定結(jié)束專利訴訟組成聯(lián)合陣線。東芝撤銷以SK海力士為對象的1.1兆韓元規(guī)模專利損害賠償告訴，并為了克服微細制程的界限，攜手開發(fā)納米壓印(NIL)等下一代技術(shù)。

　　SK海力士相關(guān)人士表示，透過這次擴大合作，可望強化技術(shù)競爭力，并消除潛在的經(jīng)營不確定性。有助于二家公司競爭市場的領(lǐng)先地位。

　 　然而，這次結(jié)盟能否有具體成果仍是未知數(shù)。以NAND Flash市場強者東芝的立場，SK海力士跟三星電子同為不可小覷的對手。SK海力士近幾年擴大 NAND Flash相關(guān)投資，并將市占率拉高到10%。由于三星技術(shù)力大幅超前，東芝與SK海力士相互間競爭恐怕會更加激烈。