《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR 推出采用4×5 PQFN功率模塊封裝的25V IRFH4257D FastIRFET雙功率MOSFET

為DC-DC應(yīng)用提供高密度緊湊型解決方案
2014-12-16
來(lái)源:IR

    全球功率半導(dǎo)體管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項(xiàng)新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能,使其可用于更低功率的緊湊型設(shè)計(jì),適合12V輸入DC-DC同步降壓應(yīng)用,包括先進(jìn)的電信和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、服務(wù)器、顯示適配器、臺(tái)式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應(yīng)用。

    IRFH4257D采用IR的新一代硅技術(shù)和封裝專利技術(shù),以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ,帶來(lái)一流的功率密度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“與IR的其它FastIRFET器件一樣,IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動(dòng)器共同操作,為單相位或多相位應(yīng)用提供靈活的設(shè)計(jì),同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列,設(shè)計(jì)師可選擇能滿足其設(shè)計(jì)要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”

     IRFH4257D符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和第一級(jí)濕度敏感度 (MSL1) 標(biāo)準(zhǔn),所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。

規(guī)格

器件

PQFN

封裝尺寸

電流

額定值

4.5V下的典型/

最大導(dǎo)通電阻

4.5V下的典型QG (nC)

4.5V下的典型QGD  (nC)

IRFH4257D

4x5

25A

3.7 / 4.6

1.65 / 2.1

10

23

3.4

7.6

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)請(qǐng)瀏覽IR網(wǎng)站www.irf.com。

IR簡(jiǎn)介

    國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱 IR,紐約證交所代號(hào) IRF)是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗(電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備),是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

    IR 成立于 1947 年,總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯,在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站:www.irf.com,中國(guó)網(wǎng)站:www.irf.com.cn。

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