全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網(wǎng)絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
IRFH4257D采用IR的新一代硅技術和封裝專利技術，以緊湊的4×5功率模塊提供卓越的熱性能、低導通電阻 (RDS(on)) 和柵極電荷 (Qg) ，帶來一流的功率密度和更低的開關損耗。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“與IR的其它FastIRFET器件一樣，IRFH4257D可與各種控制器或驅(qū)動器共同操作，為單相位或多相位應用提供靈活的設計，同時實現(xiàn)更高的電流、效率和頻率。隨著 IRFH4257D加入IR的功率模塊系列，設計師可選擇能滿足其設計要求的 4×5或5×6 PQFN封裝。”
IRFH4257D符合工業(yè)級標準和第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，所采用的物料清單環(huán)保、不含鉛，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
規(guī)格
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器件 |
PQFN 封裝尺寸 |
電流 額定值 |
4.5V下的典型/ 最大導通電阻 |
4.5V下的典型QG (nC) |
4.5V下的典型QGD (nC) |
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IRFH4257D |
4x5 |
25A |
3.7 / 4.6 1.65 / 2.1 |
10 23 |
3.4 7.6 |
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關數(shù)據(jù)請瀏覽IR網(wǎng)站www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司（簡稱 IR，紐約證交所代號 IRF）是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR 的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應用于驅(qū)動高性能計算設備及降低電機的能耗（電機是全球最大耗能設備），是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計算機、節(jié)能電器、照明設備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準。
IR 成立于 1947 年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。