全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 –國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) 的工業(yè)應(yīng)用，包括大功率直流電機(jī)，直流/交流逆變器，以及動(dòng)態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

    全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導(dǎo)通電阻性能，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備雙面散熱功能，可提供最佳傳熱性能，提升功率密度。由于提供最佳的裸片對(duì)占位面積比，DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度，為受空間限制的高功率工業(yè)電源設(shè)計(jì)提供理想的解決方案。

    與DirectFET系列的其它器件一樣，全新的工業(yè)用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無(wú)鍵合線設(shè)計(jì)。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含鉛的物料清單，因此非常適合長(zhǎng)生命周期的設(shè)計(jì)。而其它同類型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項(xiàng)豁免條款，但這項(xiàng)豁免將于2016年到期。

    IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后，繼續(xù)領(lǐng)先業(yè)界成為市場(chǎng)上最可靠、最高性能的MOSFET封裝產(chǎn)品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統(tǒng)的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱性能，因而非常適合空間受限的長(zhǎng)壽命工業(yè)電源設(shè)計(jì)。”

    全新40V到150V大罐式封裝器件符合第一級(jí)濕度敏感度業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)(MSL1)。

規(guī)格

    產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)和MOSFET產(chǎn)品選型工具，請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。

IR簡(jiǎn)介

    國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗(電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國(guó)際知名廠商開(kāi)發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國(guó)防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。

    IR 成立于1947 年，總部設(shè)在美國(guó)洛杉磯，在二十個(gè)國(guó)家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國(guó)網(wǎng)站：www.irf.com.cn。