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TE Connectivity的SESD器件幫助設計人員應對復雜的 ESD和浪涌保護挑戰(zhàn)

增強的硅ESD器件具有 20kV空氣放電額定值,在汽車、消費電子和計算機設計中實現(xiàn)更穩(wěn)健的保護功能
2014-03-18

設計工程師充分了解在應付由charged board event (CBE) 所造成的較嚴重損壞時，提供符合IEC 61000-4-2標準的靜電放電 (ESD)保護功能可能并不足夠。這些極強的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時間特性，可能損壞智能手機、平板電腦、汽車信息娛樂設備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認識到這一事實，TE Connectivity旗下的電路保護業(yè)務部門推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 這些器件的空氣放電額定值為±20kV 和±22kV，遠遠高于IEC 8kV 接觸放電和15kV空氣放電標準要求，可以幫助設計人員解決由CBE事件引起的普遍電路保護難題。

TE電路保護部產(chǎn)品經(jīng)理Nicole Palma表示：“在與設計工程師一起工作時，我們發(fā)現(xiàn)IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產(chǎn)品故障的CBE問題。針對這一挑戰(zhàn)，我們提升了現(xiàn)有的小型低電容SESD器件產(chǎn)品線，提供20kV及更高的浪涌保護能力。這種更強大的保護能力可以幫助制造商提高產(chǎn)品可靠性，最大限度地減少現(xiàn)場返修(field return)，而這正是競爭異常激烈的計算機、移動、消費和汽車市場的關鍵設計考慮。”
 

此新一代SESD產(chǎn)品同時具有單向和雙向配置，以及1、2和4通道器件，采用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能，這些器件的浪涌保護能力(4通道陣列為2.2A，1和2通道器件為2.5A)有助于提供更穩(wěn)健的性能。


SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向)，能幫助滿足HDMI、eSATA和其它高速信號要求。它們的低鉗位電壓(<15V)有助于達到快速啟動時間和最大限度地減少能量通泄(energy let-through)。此外，SESD器件具有極低的泄漏電流(50nA)，幫助在必須節(jié)約能源的應用中降低功耗。

要了解更多信息或獲得技術支持，請致電(800) 227-7040 或訪問網(wǎng)站www.circuitprotection.com。尋找本地銷售代表，請訪問www.circuitprotection.com/contactus.asp。

 

型號：

單通道：

  • SESD0201X1UN-0030-088 – 單向；0201尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp；8.8V (典型) VBR
  • SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向；0201尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
  • SESD0402X1UN-0030-088 – 單向；0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
  • SESD0402X1BN-0015-096 –雙向；0402尺寸；0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR

 

多通道：

  • SESD0402Q2UG-0030-088 –單向；0402尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
  • SESD1004Q4UG-0030-088 –單向；1004尺寸；0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR

 

價格：按要求提供

供貨：現(xiàn)已提供樣品

付運：交貨期為12周


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