《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay推出適用于便攜電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表等系統(tǒng)中的新款雙向電池開關(guān)

器件只占2.3mm2的面積,比分立MOSFET節(jié)省91%;在3.3V下的導通電阻低至6.5mΩ,靜態(tài)電流為0.015nA
2014-03-03

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關(guān)--- SiP32101,可在便攜式電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應(yīng)用中,Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間,在小尺寸12凸點WCSP封裝內(nèi)實現(xiàn)了低導通電阻和超低靜態(tài)電流。

在智能手機、平板電腦、數(shù)碼照相機、便攜會醫(yī)療器械、數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)等產(chǎn)品中,PCB空間是首要考慮因素。在這些產(chǎn)品里,用于電池隔離的分立MOSFET方案要使用3個元器件,一般占用26mm2的面積。SiP32101的占位只有2.3mm2,可節(jié)約寶貴的電路板空間,降低總體的元器件數(shù)量,從而簡化設(shè)計。另外,器件有一個低電平有效的使能pin腳,可以與GPIO直接接口,不需要另外加電平轉(zhuǎn)換電路或高壓柵極驅(qū)動。在EN腳接了一個集成下拉電阻,在GPIO可能被浮空的地方,電阻能防止在低功率狀態(tài)下出現(xiàn)假接通。

 

SiP32101在3.3V下的導通電阻為6.5mΩ,可減少功率損耗,并提高效率。器件的輸入電壓為2.3V~5.5V,軟接通時間為2ms,可將涌入電流最小化,非常適合高容量的電池應(yīng)用和大電流的負載切換。負載開關(guān)在導通和關(guān)斷狀態(tài)下只消耗非常小的電流。器件的靜態(tài)電流和關(guān)斷電流分別為0.015nA和0.01nA,這樣如果器件長時間處于空閑狀態(tài),電池電量也不會很快耗盡。

 

今天發(fā)布的電池負載開關(guān)的工作溫度為-40℃~+85℃,符合RoHS,無鹵素,使用1.3mm x 1.7mm x 0.55mm WCSP封裝。

 

SiP32101現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周。

 

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com

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