《電子技術(shù)應(yīng)用》
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強(qiáng)攻LTE手機(jī)的兩大關(guān)鍵:RF MEMS和軟件無線電
來源:電子發(fā)燒友
摘要: 隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國際漫游的工作頻 段,頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線尺寸與功耗過大問題,如何降低天線數(shù)量、尺寸并增強(qiáng)信號(hào)接收性能與頻寬是當(dāng)前工程師面臨 的問題。射頻工程師對射頻前端器件提出了更高的要求,促使射頻半導(dǎo)體廠商加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)與解決方案,包括RF MEMS及軟件定義無線電(SDR)、天線頻率調(diào)整等新興技術(shù),已受到終端設(shè)備制造商關(guān)注。
關(guān)鍵詞: LTE MEMS RF 軟件無線電
Abstract:
Key words :

 隨著LTE多頻多模智能手機(jī)時(shí)代的來臨,新一代智能手機(jī)要求在2G、3G模式基礎(chǔ)上增加支持LTE模式及相應(yīng)的工作頻段,并實(shí)現(xiàn)國際漫游的工作頻 段,頻段總量接近40個(gè)。頻段的快速增加引發(fā)內(nèi)部射頻(RF)天線尺寸與功耗過大問題,如何降低天線數(shù)量、尺寸并增強(qiáng)信號(hào)接收性能與頻寬是當(dāng)前工程師面臨 的問題。射頻工程師對射頻前端器件提出了更高的要求,促使射頻半導(dǎo)體廠商加速研發(fā)創(chuàng)新RF技術(shù)與解決方案,包括RF MEMS及軟件定義無線電(SDR)、天線頻率調(diào)整等新興技術(shù),已受到終端設(shè)備制造商關(guān)注。

RF MEMS技術(shù)提升手機(jī)天線性能節(jié)約成本
隨著業(yè)界對RF技術(shù)要求的提升,Qualcomm、聯(lián)發(fā)科等芯片大廠開始積極強(qiáng)化RF方案,高通更率先推出業(yè)界首款CMOS功率放大器(PA),以改善RF 性能與成本。由于芯片廠商的RF方案優(yōu)勢在于處理器端的信號(hào)增強(qiáng)與噪聲消除,對優(yōu)化RF天線尺寸與傳輸功耗的效果依然非常有限, 業(yè)界開始關(guān)注采用 MEMS技術(shù)工藝的RF產(chǎn)品。
RF MEMS是近年來MEMS領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),其基于機(jī)械式諧振結(jié)構(gòu),只要改變內(nèi)部隔板距離就能使電容流量產(chǎn)生變化,可免除外部電容與開關(guān)等零組件,減輕天線 總體功耗與體積;此外,其具備可編程能力,可支持軟件無線電(SDR)功能,并實(shí)現(xiàn)天線頻率調(diào)整、可調(diào)式阻抗匹配等控制方案,協(xié)助簡化RF前端模塊 (FEM)設(shè)計(jì)、增強(qiáng)信號(hào)接收性能、帶寬及減少天線數(shù)量。由此實(shí)現(xiàn)射頻系統(tǒng)的片內(nèi)高集成,消除由分立元件帶來的寄生損耗,真正做到系統(tǒng)的高內(nèi)聚,低耦合, 能顯著提高系統(tǒng)的性能。
射頻微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)設(shè)計(jì)和制造廠商Cavendish Kinetics總裁Dennis Yost表示,隨著智能型手機(jī)頻段的持續(xù)增加,如何提升RF天線性能,且不影響系統(tǒng)占用空間與耗電量表現(xiàn),已成為RF器件和手機(jī)廠商的產(chǎn)品發(fā)展重點(diǎn),由此 帶動(dòng)新一輪RF技術(shù)革命,這為在尺寸和性能都表現(xiàn)優(yōu)異的RF MEMS技術(shù)帶來新的機(jī)會(huì)。
Yost進(jìn)一步介紹,采用Cavendish Kinetics RF MEMS持術(shù)的LTE手機(jī)可望于近期陸續(xù)推出,目前Cavendish Kinetics正與多家手機(jī)制造商緊密合作,初期將鎖定高端LTE多頻多模手機(jī)應(yīng)用,待逐步達(dá)到量產(chǎn)經(jīng)濟(jì)規(guī)模后,再挺進(jìn)中低端手機(jī)市場。
Yost 預(yù)計(jì)2014 -2016年RF MEMS技術(shù)將快速發(fā)展,包括RF前端模塊的功率放大器、濾波器(Filter)和雙工器(Duplexer)均可動(dòng)態(tài)調(diào)整,進(jìn)而達(dá)成更高效率;另外,由 于RF MEMS兼容CMOS工藝并支持?jǐn)?shù)字界面,未來可能與邏輯芯片進(jìn)一步結(jié)合,實(shí)現(xiàn)更高整合度的手機(jī)系統(tǒng)解決方案。 同時(shí)RF MEMS因減少周邊器件用量,整體物料清單(BOM)成本反而比傳統(tǒng)RF設(shè)計(jì)更低,而且在各種LTE頻段中平均能提高35%傳輸效率,RF MEMS將成為未來5∼10年手機(jī)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)之一。
 
業(yè)界預(yù)計(jì)未來四年RF MEMS技術(shù)演進(jìn)圖
軟件無線電(SDR)技術(shù)日益成熟 將進(jìn)駐LTE手機(jī)
各 國頻譜規(guī)劃差異以及電信運(yùn)營商也各自布署FDD或TDD LTE網(wǎng)絡(luò),導(dǎo)致手機(jī)天線功能的需求復(fù)雜化。芯片商與系統(tǒng)廠商除發(fā)力新興RF技術(shù)外,也開始采用日益成熟的SDR技術(shù),希望通過軟件編程功能,自動(dòng)偵測并 切換至用戶所在地的最佳LTE頻段,以最小幅度的RF硬件變動(dòng),優(yōu)化手機(jī)性能。
NVIDIA在Tegra 4i中已率先導(dǎo)入LTE軟件定義調(diào)制解調(diào)器(Modem),打響SDR技術(shù)在手機(jī)RF應(yīng)用中的第一槍,目前至少還有二十幾家處理器廠商計(jì)劃采用SDR技 術(shù),以協(xié)助系統(tǒng)廠商改善LTE手機(jī)天線的尺寸與耗電量。或許 SDR技術(shù)將是加速LTE手機(jī)上市,并實(shí)現(xiàn)全球漫游的關(guān)鍵推手之一。
微處理器 廠商Tensilica創(chuàng)始人Chris Rowen表示,隨著LTE手機(jī)加入多輸入多輸出(MIMO)、載波聚合(Carrier Aggregation)等功能后,對天線的性能要求更將大幅提升,廠商為兼顧高性能與低功耗、小尺寸設(shè)計(jì),將采用SDR技術(shù)發(fā)展特定基帶RF子系統(tǒng)或增 強(qiáng)型接收器(Turbo Receiver),以滿足LTE、LTE-Advanced的設(shè)計(jì)需求。
通常手機(jī)廠商及技術(shù)部門對更換設(shè)計(jì)方案和器件的評估都非常慎重,以免增加投資和產(chǎn)品上市的風(fēng)險(xiǎn)。近年來傳統(tǒng)的射頻廠商也開始積極研發(fā)創(chuàng)新的RF技術(shù)應(yīng)對多模 多頻的挑戰(zhàn),RF MEMS、SDR作為在終端應(yīng)用的新技術(shù),要讓終端廠商及設(shè)計(jì)工程師完全接受還需要較長的過程。但MEMS、SDR技術(shù)的諸多優(yōu)勢,必將成為LTE、 LTE-Advanced多頻多模手機(jī)RF主要參考技術(shù)之一。
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