日前，德州儀器(TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻MOSFET。該最新系列FemtoFET™ MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足100 毫歐的導通電阻。如欲了解更多詳情，訂購樣片與SPICE 模型，敬請訪問：www.ti.com.cn/femtofet-pr-cn。
三個N 通道及三個P 通道FemtoFET MOSFET 均采用平面柵格陣列(LGA) 封裝，與芯片級封裝(CSP) 相比，其可將板積空間銳減40%。CSD17381F4與CSD25481F4支持不足100 毫歐的導通電阻，比目前市場上類似器件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過4000V 的人體模型(HVM) 靜電放電(ESD) 保護。點擊這里觀看視頻。
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部件號 |
通道 |
BVdss (V) |
Vgs (V) |
典型導通電阻（歐姆） |
Id（Ta = 25°C 時） (A) |
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1.8V |
2.5V |
4.5V |
|||||
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N |
30 |
12 |
160 |
110 |
90 |
3.1 |
|
|
N |
30 |
12 |
370 |
240 |
200 |
1.5 |
|
|
N |
12 |
8 |
310 |
170 |
140 |
2.1 |
|
|
P |
-20 |
-12 |
395 |
145 |
90 |
-2.5 |
|
|
P |
-20 |
-12 |
580 |
338 |
210 |
-1.6 |
|
|
P |
-12 |
-8 |
480 |
250 |
150 |
-2.3 |
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FemtoFET MOSFET 歸屬TI NexFET 功率MOSFET產品系列，該系列還包括適用于手機等便攜式應用的CSD25213W10P 通道器件以及CSD13303W1015N 通道器件等。TI 提供LP5907大電流低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器以及TPS65090前端電源管理單元(PMU) 等各種系列的電源管理產品，可為手持應用節(jié)省板級空間，降低功耗。
FemtoFET MOSFET 系列的主要特性與優(yōu)勢
· 不足100 毫歐的導通電阻比類似器件低70%，可節(jié)省電源，延長電池使用壽命；
· FemtoFET 0.6 毫米× 1.0 毫米× 0.35 毫米的LGA 封裝比標準CSP 小40%；
· 1.5A 至3.1A 的持續(xù)漏極電流值與當前市場類似尺寸器件相比，可提供超過2 倍的性能。
供貨情況
FemtoFET MOSFET 器件現已開始批量供貨，可通過TI 及其授權分銷商進行訂購。
了解更多詳情：
· 采用TI WEBENCH 電源設計工具在線設計完整的電源管理系統；
· 從TI PowerLab™ 參考設計庫下載電源參考設計。
· 訪問德州儀器在線技術支持社區(qū)咨詢問題：www.deyisupport.com。