《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻

通過(guò)MIL-PRF-55342認(rèn)證的器件具有優(yōu)異的耐潮能力,可用于軍工和航天應(yīng)用
2013-07-01

2013 年7 月1 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出通過(guò)MIL-PRF-55342認(rèn)證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N),該電阻具有公認(rèn)的高可靠性,失效率達(dá)到每1000小時(shí)0.01%的“R”級(jí)。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術(shù)制造,為軍工和航天應(yīng)用提供了更好的規(guī)格指標(biāo),包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。

今天推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應(yīng)用的控制系統(tǒng),在這些場(chǎng)合下,工作過(guò)程中的潮氣或長(zhǎng)時(shí)間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過(guò)MIL-PRF-55342規(guī)定限值的50倍。

 

E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲,以及低至0.5ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層,覆蓋一層電鍍鎳柵層,使器件可在+150℃溫度下工作,而粘附層產(chǎn)生的電阻還不到0.010Ω。

 

器件有M55342/01~M55342/12共12種外形尺寸,功率等級(jí)為50mW~1000mW,工作電壓為30V~200V,根據(jù)公差,阻值范圍49.9Ω~3.3MΩ。

 

E/H (Ta2N)薄膜電阻現(xiàn)已量產(chǎn),供貨周期為八周到十周。

 

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

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