本文介紹有關(guān)用于LTE 微蜂窩式與有源天線系統(tǒng)式基站應(yīng)用的小型高效GaN Doherty 放大器。該Doherty 放大器采用TriQuint 半導(dǎo)體公司開(kāi)發(fā)的T1G6001528-Q3 器件，是一種寬頻帶的分立GaN 射頻功率晶體管。該Doherty 放大器具有以下特征： 在LTE 頻率范圍（2.62 GHz ~ 2.69 GHz） 、平均輸出功率為38.5 dBm、飽和輸出功率峰值超過(guò)46 dBm、漏電效率超過(guò)55%、增益超過(guò)15 dB、LTE 兩載波 (2x 10 MHz 載波)、 信號(hào)波形8 dB 均峰比, 在Netlogic 標(biāo)準(zhǔn)DPD 下、鄰信道功率比（ACPR）超過(guò) -50 dBc、放大器大小為30 毫米x 70 毫米。 索引術(shù)語(yǔ) — GaN (氮化鎵)、Doherty 放大器、LTE、微蜂窩、有源天線系統(tǒng)、基站。
I.介紹
目前在通訊網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)較高的數(shù)據(jù)速率和頻譜效率始終是開(kāi)發(fā)新技術(shù)的動(dòng)力。為了滿足無(wú)線通訊用戶越來(lái)越嚴(yán)格的較高數(shù)據(jù)速率和頻譜效率的要求，利用一些新的技術(shù), 4G 無(wú)線系統(tǒng)包括長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù)（LTE）在內(nèi)的已經(jīng)被發(fā)展 。例如：正交頻分多路復(fù)用技術(shù)（OFDM）和多輸入多輸出（MIMO），這兩種技術(shù)具有較高數(shù)據(jù)速率和頻譜效率特征，可以實(shí)現(xiàn)20 MHz 的信號(hào)頻寬、100 Mbps 的下行鏈路數(shù)據(jù)速率、50 Mbps 的上行鏈路數(shù)據(jù)速率。這種LTE 設(shè)計(jì)有10 MHz 和20 MHz 兩種調(diào)制信號(hào)頻寬，前者針對(duì)一個(gè)載波，后者針對(duì)兩個(gè)載波。為在降低功率消耗的同時(shí)提供一個(gè)較高數(shù)據(jù)速率，微蜂窩式或有源天線系統(tǒng)式基站等各類(lèi)小型基站，基于LTE 的網(wǎng)絡(luò)將比W-CDMA (3G) 的網(wǎng)絡(luò)更頻繁地被利用。在這種小尺寸類(lèi)型的無(wú)線基站中, 使用高效率和小型射頻功率放大器是必要的，以提供具有最大成本效益的性能。 由于Doherty 架構(gòu)的放大器在功率回退范圍（6~10 dB）的高效率性能和與數(shù)字預(yù)失真（DPD）配合能取得高線性性能, 所以Doherty 放大器配置廣泛地被應(yīng)用于無(wú)線基站射頻功率放大器 [1]~[2]。雖然現(xiàn)在有一些新的先進(jìn)技術(shù)正在開(kāi)發(fā)無(wú)線基站[3]?～[4]的射頻功率放大器，采用Doherty 放大器配置的高功率和高效率射頻放大器仍然是最常見(jiàn)的大規(guī)模生產(chǎn)的無(wú)線基站技術(shù)。 由于氮化鎵（GaN）射頻功率晶體管的高效率和大高功率密度等多種特征，具有支持下一代射頻功率器件應(yīng)用[5]?～[7]的需要的特性。因此是這種放大器設(shè)計(jì)實(shí)施的技術(shù)首選 。
II. GaN 射頻功率器件
本文中的Doherty 放大器中所采用的有源器件，為T(mén)riQuint 半導(dǎo)體公司所開(kāi)發(fā)的T1G6001528-Q3 器件， 它采用高電子遷移率晶體管（HEMT）和SiC HEMT 技術(shù), 是一個(gè)寬帶分立氮化鎵(GaN)產(chǎn)品， 支持28V 的工作電壓和DC ~6 GHz 的頻率范圍 。該器件采用TriQuint 生產(chǎn)的0.25 μm 氮化鎵和SiC 工藝，具有在高度漏極偏置運(yùn)行的情況下使用靜電場(chǎng)起電板技術(shù)最大化功率和效率的特征。這種優(yōu)化有可能在簡(jiǎn)化放大器的陣容，和較低的熱管理成本方面, 降低系統(tǒng)成本簡(jiǎn)化。 如圖1 所示，T1G6001528-Q3 器件采用5 毫米總門(mén)外設(shè) （total gate periphery）的分立模塊，構(gòu)建于四個(gè)1.25 毫米的高電子遷移率晶體管單位晶格。模塊貼裝與封裝接線材型針對(duì)寬帶性能進(jìn)行了優(yōu)化。
圖1. T1G6001528-Q3 GaN 晶體管，采用1.25 毫米單位晶格
一般而言，在這種放大器使用的封裝設(shè)備通常提供18W 的輸出功率（P3dB）、線性增益在6 GHz 頻率時(shí)高于10 dB、在整個(gè)寬帶中的最大PAE 高于50%。在2.6 GHz 的頻率，它的飽和功率大約為25W; 增益約為16 dB; 的最大飽和的效率約為75％。
圖2. T1G6001528-Q3 封裝
T1G6001528-Q3 的封裝如圖2 所示，輸入/輸出引線除外， 尺寸為5 毫米x 6 毫米。這個(gè)小設(shè)備的性能來(lái)自其高功率密度。小形晶體管是一個(gè)能夠發(fā)展規(guī)模較小的Doherty 放大器的關(guān)鍵因素。 該器件還提供如下性能: 28V 的Vd 、100mA 的Idq、 50uS 的脈沖波形功率、10%的功率占空比、2.65 GHz 頻率下的負(fù)載牽引測(cè)量結(jié)果如圖 3 所示。 本文的Doherty 放大器的設(shè)計(jì)是基于這種負(fù)載牽引數(shù)據(jù)。
圖3. T1G6001528-Q3 負(fù)載牽引數(shù)據(jù)
III. DOHERTY 放大器配置
對(duì)稱(chēng)Doherty 放大器是一個(gè)非常受歡迎的射頻高功率， 高效率，為當(dāng)代的無(wú)線基站配置的放大器。本文中展示的這種放大器，采用兩個(gè)T1G6001528-Q3 分立封裝的高電子遷移率晶體管，其整體大小為30 毫米x 70 毫米，如圖4 所示。這種小型尺寸的設(shè)計(jì)完全滿足空間較小的微蜂窩式或有源天線系統(tǒng)式基站的要求。圖4. 30 毫米 x 70 毫米的Doherty 放大器電路板
圖4. 30 毫米 x 70 毫米的Doherty 放大器電路板
Doherty 放大器采用Taconic 公司的RF35B 印刷電路板材料，厚度為 16.6 毫米（H）、介電常數(shù) 3.66（εr）。 輸入?yún)^(qū)域設(shè)計(jì)有3dB 的分配器電路，用于分離輸入信號(hào)并輸入到載波放大器（上行路徑)和峰值放大器（下行路徑）。其中載波放大器的偏壓屬于AB 類(lèi)，其靜態(tài)漏極電流（ Idq）為100 mA；而峰值放大器的偏壓屬于C 模式。因這兩種放大器的運(yùn)行模式不同，故他們的輸出阻抗相異。因此，他們的輸出匹配電路稍有差異。 當(dāng)設(shè)計(jì)一個(gè)Doherty 放大器，理想的設(shè)計(jì)是Zopt 負(fù)載阻抗等于最大的Psat 點(diǎn)，負(fù)載阻抗在2* Zopt 等于最高效率點(diǎn)。但由于T1G6001528-Q3 是一個(gè)寬帶的通用設(shè)備， 并非特地針對(duì)2.65 GHz 的Doherty 放大器而設(shè)計(jì)，而且其最大效率點(diǎn)不在其最大飽和功率的2：1 電壓駐波比（VSWR）圓上。當(dāng)我們?cè)谠O(shè)計(jì)這個(gè)Doherty 放大器，我們不得不妥協(xié)在 Zopt 和2* Zopt 的負(fù)載阻抗。這意味著這意味著Zopt 阻抗負(fù)載不在最大飽和功率點(diǎn)上，2* Zopt 阻抗負(fù)載不在最大效率點(diǎn)上。 IV. DOHERTY 放大器性能 如圖3 所示，采用T1G6001528-Q3 器件的Doherty 放大器，在多種信號(hào)波形下進(jìn)行了詳細(xì)測(cè)試，證明其性能滿足要求基站應(yīng)用。 如圖5 所示，AM/AM 和AM/PM 曲線，這是DPD 校正性能的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。在一個(gè)典型的一般LDMOS 器件Doherty 放大器，當(dāng)輸入功率的增加，相位單調(diào)下降，這將降低DPD 校正性能。但此采用T1G6001528-Q3 放大器， 輸入電源的相位變化是完全不同的，有利于DPD 的校正。 如圖6 所示，PAR 及效率隨輸出功率的變化, 頻率為2.65 GHz，WCDMA 信號(hào)在0. 01% CCDF 時(shí)的 PAR 為10.2 dB。 如圖7 所示， LTE 高功率性能, 在2.62 GHz ～2.69 GHz 之間，量測(cè)的信號(hào)為WCDMA 波形，測(cè)試數(shù)據(jù)為38 dBm 的平均輸出功率，計(jì)算的飽和功率采用平均輸出功率加上PAR 值。從本圖中可以看出，在標(biāo)準(zhǔn) LTE 頻率范圍（2620 MHz ~2690 MHz）內(nèi)，如果平均輸出功率為38 dBm， 輸出效率超過(guò)55%。 根據(jù)現(xiàn)代基站的設(shè)計(jì)，射頻功率放大器的輸出功率 要求因不同特定地域的電話呼叫用戶的數(shù)量不同而顯現(xiàn)差異。這種要求我們稱(chēng)之為“流量管制”。 一般而言，為使基站保持高效運(yùn)行，需要調(diào)整射頻功率放大器的工作電壓， 以實(shí)現(xiàn)不同的輸出功率，并要求基站射頻功率放大器能夠在工作電壓變化時(shí)提供穩(wěn)定的效率。如圖8 所示，漏極電壓范圍為24V ~ 32V，采用同樣的WCDMA 波形和 PAR （7.5 dB），效率與平均輸出功率電壓的變化 。
圖 5. AM/AM 與AM/PM
Fig. 6 輸出功率的參數(shù)范圍與效率變化
圖7. 頻率范圍以外的Psat、 效率、增益變化
圖 8. 漏極電壓的效率與功率輸出變化
為滿足基站高效運(yùn)營(yíng)的要求，大多數(shù)射頻功率放大器需要采用數(shù)字預(yù)失真（DPD）技術(shù)，以獲得線性性能，其功率放大器的鄰信道功率比是這種性能的體現(xiàn)。因此，對(duì)于當(dāng)前使用的基站射頻功率放大器而言，數(shù)字預(yù)失真糾正性能顯得至關(guān)重要。為了證實(shí)這種Doherty 放大器在這方面的效果，本文特此采用了 Netlogic 公司的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字預(yù)失真糾正系統(tǒng)，在有兩個(gè)LTE 的20 MHz 信號(hào)寬帶的載波環(huán)境（0.01%，CCDF 值時(shí)的PAR 為8 dB）下進(jìn)行測(cè)試。測(cè)量的頻率2.65 GHz，輸出功率為 38.5 dBm，鄰信道功率比的性能如圖9 所示。DPD 校正之后，鄰信道功率比達(dá)到- 50 dBc 以上。
圖 9. DPD 性能的鄰信道功率比
V. 總結(jié)
本文講述了有關(guān)2.6 GHz GaN Doherty 放大器的一些特征：38.5 dBm 的平均輸出功率、標(biāo)準(zhǔn) LTE 頻率（2.62 GHz ~ 2.69 GHz）范圍、漏極效率高于55%、增益高于15 dB、兩個(gè)寬帶頻率為20 MHz 和PAR 為8 dB 范圍的LTE 載波信號(hào)、用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)之后的鄰信道功率比達(dá)到- 50dBc 以上、Doherty 放大器大小為30 毫米x 70 毫米、在基站放大器中結(jié)合高效率和小型設(shè)計(jì)以使用氮化鎵晶體管， 在基于 LTE 的微蜂窩基站和有源天線陣列系統(tǒng)設(shè)計(jì)上發(fā)揮重要作用。