富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。

圖1：MB85RS1MT和MB85RS2MT

兩款新型產(chǎn)品保證有10萬(wàn)億次的讀寫(xiě)次數(shù)，大約是現(xiàn)有芯片的10倍，適合用于智能電表、工業(yè)機(jī)械和醫(yī)療設(shè)備。與容量相同的EEPROM相比，寫(xiě)入時(shí)可減少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系統(tǒng)存儲(chǔ)器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持?jǐn)?shù)據(jù)的電池）所需的技術(shù)集成到單一芯片上，因此可大幅降低器件成本，占板面積和功耗。這相應(yīng)地極大地有助于開(kāi)發(fā)小型和節(jié)能設(shè)備，使維修更加簡(jiǎn)易，因此不再需要備用電池。

FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關(guān)閉電源也能保存數(shù)據(jù)；隨機(jī)存取，可以快速寫(xiě)入數(shù)據(jù)。即使發(fā)生突然電源故障和停電時(shí)，F(xiàn)RAM也可以安全存儲(chǔ)正在寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，所以可以在斷電前保證立刻保護(hù)芯片信息和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。憑借該能力，自從1999年量產(chǎn)后，富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品一直廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、測(cè)量設(shè)備、銀行終端以及醫(yī)療設(shè)備等。

作為對(duì)其FRAM 產(chǎn)品陣容的更新，富士通半導(dǎo)體最近開(kāi)發(fā)了MB85RS1MT (1 Mbit) 和MB85RS2MT (2 Mbit)，這兩款產(chǎn)品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品讀寫(xiě)次數(shù)提高到10萬(wàn)億次，是富士通現(xiàn)行FRAM產(chǎn)品的10倍，因此可為實(shí)時(shí)連續(xù)數(shù)據(jù)記錄提供更好的支持。

對(duì)于包括智能電表和其它測(cè)量設(shè)備、工業(yè)機(jī)械以及醫(yī)療設(shè)備（如助聽(tīng)器）－所有的這些設(shè)備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲(chǔ)器－現(xiàn)在可以使用富士通半導(dǎo)體的新型FRAM產(chǎn)品取代傳統(tǒng)的EEPROM。在快速寫(xiě)入方面的改善可以使性能更高，同時(shí)可使由于電壓突然下降或者停電引起的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)降至最低。針對(duì)寫(xiě)入時(shí)所消耗的電量，新產(chǎn)品比EEPROM少消耗92%的電量，可以延長(zhǎng)電池壽命。

展望未來(lái)，富士通半導(dǎo)體將繼續(xù)提供解決方案，幫助客戶(hù)提高終端產(chǎn)品的性能，促進(jìn)客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備的維護(hù)，并最大程度地降低風(fēng)險(xiǎn)。

                                                           圖2：讀寫(xiě)次數(shù)比較                                                                  圖3：功耗比較

 圖4：占板面積比較

樣片發(fā)布日程

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更多產(chǎn)品信息，請(qǐng)見(jiàn)：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/