《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Microsemi提供S波段RF功率晶體管 適用于空中交通管制雷達(dá)航空應(yīng)用

現(xiàn)提供新型500W GaN on SiC晶體管產(chǎn)品
2012-11-29
關(guān)鍵詞: RF|微波 RF功率晶體管 S波段

    致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500W RF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用,ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)。

    在2.7 至2.9 GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能,通過單一器件在這個(gè)頻段上提供最大功率,主要特性包括:

  • 標(biāo)準(zhǔn)脈沖間歇格式:       100µs, 10 % DF  
  • 出色的輸出功率:            500W
  • 高功率增益:                    >11.5 dB min
  • 漏極偏壓−Vdd:      +65V
  • 低熱阻:                            0.2℃/W

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括:

  • 具有簡(jiǎn)化阻抗匹配的單端設(shè)計(jì),替代需要額外合成的較低功率器件
  • 最高峰值功率和功率增益,可減少系統(tǒng)功率級(jí)數(shù)與末級(jí)合成
  • 單級(jí)對(duì)管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率,通過四路組合提供全系統(tǒng)2kW峰值輸出功率
  • 65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求
  • 極其穩(wěn)健的性能提升了系統(tǒng)良率,而且
  • 放大器尺寸比使用硅雙極結(jié)晶體管(Si BJT)或橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50%

封裝和供貨

2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨,在密封的焊料密封封裝中采用100%高溫金鍍金線材布線,實(shí)現(xiàn)長期軍用級(jí)可靠性。美高森美將為符合資格的客戶提供租借演示單元,并在公司網(wǎng)站www.microsemi.com上提供技術(shù)資料表。要了解更多的信息,請(qǐng)發(fā)送電郵至sales.support@microsemi.com。

關(guān)于美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 為通信、國防與安全、航天,醫(yī)療與工業(yè),以及新能源市場(chǎng)提供綜合性半導(dǎo)體與系統(tǒng)解決方案,包括高性能、高可靠性模擬和射頻器件,混合集成電路、射頻集成電路、可定制化片上系統(tǒng)(SoC)、可編程邏輯器件(FPGA)與專用集成電路(ASICS)、功率管理產(chǎn)品、時(shí)鐘與語音處理器件,以及以太網(wǎng)供電(PoE)IC與電源中繼(Midspan)產(chǎn)品。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息,請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站:http://www.microsemi.com。 

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