全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代(Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
全新的Gen8設(shè)計(jì)可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“通過(guò)開(kāi)發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái)，彰顯出IR在數(shù)十年來(lái)致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分之百變頻，以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境。”
新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能，有助于把dv/dt降到最低，從而減少電磁干擾、抑制過(guò)壓，從而提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較窄，在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí)，可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。
潘大偉補(bǔ)充道：“IR的Gen8 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開(kāi)關(guān)功能，使工業(yè)市場(chǎng)中的艱巨難題迎刃而解。”
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產(chǎn)品規(guī)格
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IR 器件編號(hào) |
VCES |
IC (NOM) |
VCE(ON) (典型) |
封裝 |
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IRG8CH15K10F |
1200V |
10A |
1.7 |
膜上裸片 |
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IRG8CH20K10F |
15A |
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IRG8CH29K10F |
25A |
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IRG8CH38K10F |
35A |
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IRG8CH42K10F |
40A |
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IRG8CH50K10F |
50A |
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IRG8CH76K10F |
75A |
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IRG8CH97K10F |
100A |
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IRG8CH137K10F |
150A |
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IRG8CH182K10F |
200A |
產(chǎn)品供應(yīng)
IR Gen8 1200V IGBT平臺(tái)的樣本已開(kāi)始提供給各大原始設(shè)備制造商(OEM) 及原始設(shè)計(jì)制造商(ODM) 合作伙伴。
商標(biāo)
IR®是國(guó)際整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。